Extreme ultraviolet lithography (EUVL, also known simply as EUV) is a technology used in the semiconductor industry for manufacturing integrated circuits (ICs). It is a type of photolithography that uses 13.5 nm extreme ultraviolet (EUV) light from a laser-pulsed tin (Sn) plasma to create intricate patterns on semiconductor substrates.

2025年3月8日 · However, commercializing an alternative EUV lithography tool will challenge ASML's position. ASML's latest High-NA EUV tool costs around 380 million US Dollars. No matter the cost for Chinese R&D centers, the Huawei EUV machine will deliver the much-needed upgrade path for the older DUV scanners, which previously limited domestic chip production.

2024年8月19日 · 半導体メモリー大手の米Micron Technology（マイクロン・テクノロジー）は広島工場（広島県東広島市）で、生成AI（人工知能）向けで需要が急増するHBM（広帯域メモリー）を生産する。

2024年3月27日 · The growing demand for high-bandwidth memory (HBM) in AI computing presents significant growth opportunities for ASML, as major suppliers like Samsung, SK Hynix, and Micron plan to increase their...

国内的hbm应该快了，hbm本质是一种先进封装，其技术壁垒没有那么高。 有种说法是hbm3需要1β制程，1β制程需要euv，所以国内干不出来。 但我查了半天，sk海力士和三星都没说过这个话，只有镁光说自己的hbm3是基于1β的。

2025年3月10日 · ASML的Twinscan EXE高NA EUV光刻工具只需一次曝光即可实现低至8nm的分辨率，与单次曝光即可提供13.5nm分辨率的低NA EUV系统相比，这是一个显着的改进。虽然当前一代的低NA EUV工具仍可通过双重图案化实现8nm分辨率，但这会延长产品周期并影响产量。

2024年11月19日 · 早在2023年12月，英特尔就拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并于今年4月宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X研发晶圆厂完成世界首台商用High-NA （0.55NA） EUV光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段，并计划在其18A （1.8nm） 和14A （1.4nm） 节点 ...

2024年10月26日 · 认识到EUV技术对于提高存储芯片性能和密度的重要性，美光已决定推迟在1α和1β节点的采用，选择优先考虑性能和成本效益。 Donghui Lu强调了EUV设备的高成本和复杂性，以及为适应它需要在制造过程中进行的重大改变。 美光的主要目标是以具有竞争力的成本生产高性能存储产品。 他表示，推迟采用EUV使他们能够更有效地实现这一目标。 美光一直表示，其8层和12层HBM3E比竞争对手产品功耗低30%。 公司计划于2025年在中国台湾大规模生产将 …

据悉ASML已悄悄转变态度，近期表示将DUV光刻机产能增加至600台，EUV光刻机增加至90台，在全球芯片行业衰退减少采购光刻机的时候，它如此做瞄准的无疑是当下仅剩的还有意扩张芯片产能的中国市场。 在过去数年，全球展开了产能扩张竞赛，规划了86个芯片制造项目，如今已完成了其中40个，芯片产能大幅提升，然而就在此时全球芯片市场却出现逆转，从供给不足向供给过剩转变，并且供给过剩相当严重。 上半年美国模拟芯片、射频芯片等企业纷纷表示库存高企， …

2024年10月10日 · High-NA EUV 光刻能够实现 8nm 的分辨率，对比现有 EUV 单次曝光实现的 12~13nm 分辨率，可将晶体管尺寸缩小约至 1.7 分之 1，晶体管密度增加近三倍，大大提升芯片性能。