High-bandwidth memory (HBM) is a JEDEC-defined standard, dynamic random access memory (DRAM) technology that uses through-silicon vias (TSVs) to interconnect stacked DRAM die. In its first implementation, it is being integrated with a system-on-chip (SoC) logic die using 2.5D silicon interposer technology.

HBM== High Bandwidth Memory 是一款新型的CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），其实就是将很多个 DDR芯片 堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。先看个平面图：

2024年3月2日 · HBM==High Bandwidth Memory, 是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR RAM 组合阵列。HBM内存是一种创新的堆叠式内存技术，其特点是将多个内存芯片垂直堆叠在一起，并通过短而宽的通道将它们连接起来。这种设计不仅节省了 …

2024年12月26日 · HBM 通过创新的堆叠式设计，将多个内存芯片垂直堆叠在一起，并利用高速的硅通孔（TSV）技术进行连接，从而实现了极高的内存带宽。 这种高带宽使得数据能够在内存与处理器之间快速地传输，大大减少了数据等待时间，显著提升了系统的整体性能。 例如在高端游戏电脑中，配备 HBM 内存的显卡能够更迅速地将纹理数据、光影数据等传输给图形处理器，从而让游戏画面的加载速度更快、场景切换更加流畅，为玩家带来更为震撼和逼真的视觉体验。 而 …

2021年5月13日 · High-bandwidth memory is getting faster and showing up in more designs, but this stacked DRAM technology may play a much bigger role as a gateway for both chiplet-based SoCs and true 3D designs. HBM increasingly is being viewed as a way of pushing heterogenous distributed processing to a completely different level.

In this paper, HBM DRAM with TSV technique is introduced. This paper covers the general TSV feature and techniques such as TSV architecture, TSV reliability, TSV open / short test, and TSV repair. And HBM DRAM, representative DRAM product using TSV, is widely presented, especially the use and features.

2025年3月11日 · The key to custom HBM is integrating the functionality of the base die into a logic die designed by the SoC team. This includes controlling the I/O interfaces, managing the DRAM stack, and hosting Direct Access (DA) ports for diagnostics and maintenance.

2024年12月25日 · 华邦 cube 是华邦电子推出的一种针对 soc 在 dram 合封上遇到的挑战所设计的创新内存产品，也被称为“小号 HBM”，具有以下特点： • 高性能：凭借 16GB/s 至 256GB/s 的带宽，其可提供远高于行业标准的性能提升，甚至后续带宽可达 256GB/s 至 1TB/s，io 速度于 1k io 可 ...

2025年1月14日 · HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，其本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM Die堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。 在结构上，HBM是由多个DRAM堆叠而成，主要利用TSV（硅通孔）和微凸块（Micro bump）将裸片相连接，多层DRAM die再与最下层的Basedie连接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。 同一平面内，HBM与GPU …

在数据爆炸时代，hbm（高带宽内存）作为新型内存解决方案正崭露头角。它通过先进封装技术，将多个 dram 芯片垂直堆叠，借 硅中介层 与逻辑芯片相连。传统内存如独立小平房，hbm 则似高楼大厦，其叠层设计大幅提升存储密度与数据传输效率。