TLP测试与HBM及IEC61000-4-2皆是为了模拟ESD放电的情形。 相较于ESD Gun测试只能得知是Pass还是Fail的测试结果，TLP测试会由低电流至高电流进行一次又一次的ESD放电模拟，并且于每次放电时同时量测待测物两端的电压与电流，测试所得之TLP特性图能帮助我们更深入了解TVS在遭遇ESD时的I-V特性与箝制电压 (Clamping Voltage)。 箝制电压即为TVS在遭受ESD冲击时测得的工作电压，因此如果箝制电压越小代表TVS越可能协助代测物通过ESD的测试。 此 …

2022年12月1日 · TLP结果中通常会有两条线，实线是ESD器件在高频方波激励下的IV曲线，虚线是DC监测的漏电流，用以观察是否失效。 而TLP曲线重点关注几个点：

Correlation of TLP with IEC 61000-4-2 A practical widely used rule I Correlation of IEC with TLP is in general di icult and very dependent on the DUT. I fails due to energy the previous g

TLP 50 testing uses low voltage pulses to produce the same current through the device as HBM, but it never reaches the kilovolt range. In fact, a 3 kV HBM pulse is clamped, and never reaches the kilovolt range, at the ESD protection circuit.

2013年10月15日 · This paper discusses a practical technique to accurately correlate package level ESD protection results by HBM (human body model) zapping and TLP (transmission line pulsing) testing. It is found that the ESD pulse duration plays a key role in correlating HBM and TLP testing results as verified by evaluating 40V-5V DC-DC convertor ICs.

2022年1月21日 · TLP，Transmission Line Plus，其实就是测试芯片引脚的IV特性，不过不是测试引脚DC电压下的电流，而是给芯片引脚一个脉冲，脉宽约为100ns，上升时间约为10ns（与HBM能量一致，之后TLP又有了5ns脉宽的规格，用来模拟CDM的工作特性）。

2021年7月13日 · 通过HBM、MM、CDM测试只能得到一个器件的失效电压，如果要进行ESD防护器件的研究和性能的优化，还需要获得更多的电学信息。 ESD防护器件设计的安全裕量是由器件的敏感性决定的，考虑到在大多数的先进制程和应用中，…

2024年10月6日 · TLP测试旨在模拟ESD放电，与HBM及IEC61000-4-2测试相辅相成。 TLP测试能深入了解TVS在遭遇ESD时的I-V特性与箝制电压（Clamping Voltage），提供更详尽的测试结果。

换言之，TLP设备可模拟各种形式的ESD脉冲，在静电损伤和上升沿触发两方面都可以提供近似的模拟，因此，也可以认为两者是一致的。 而在这种近似认同下，则TLP可以提供ESD过程中的IV、IT、VT三种不同的关键曲线，而这种曲线是其它模型所不能提供的。

相較於ESD Gun測試只能得知是Pass還是Fail的測試結果，TLP測試會由低電流至高電流進行一次又一次的ESD放電模擬，並且於每次放電時同時量測待測物兩端的電壓與電流，測試所得之TLP特性圖能幫助我們更深入瞭解TVS在遭遇ESD時的I-V特性與箝制電壓 (Clamping Voltage)。