hdp-cvd（高密度等离子cvd）是pecvd的一种特殊形式，同时发生薄膜沉积和溅射，能够实现对沟槽和孔隙自下而上的填充，hdp-cvd沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低；

在hdp cvd工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)进行绝缘介质的填充。 这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隔，用PE CVD工艺一步填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的 ...

hdp-cvd，即高密度等离子体化学气相沉积，是pecvd技术的一种特殊变体。它能够在较低的沉积温度下，实现比传统pecvd设备更高的等离子体密度和质量。此外，hdp-cvd还提供了近乎独立的离子通量和能量控制，从而增强了沟槽或孔的填充能力。

高密度等离子体化学气相沉积 (HDP-CVD) 工艺是 CVD 的一种特殊形式，主要用于半导体制造，以沉积高均匀性和高密度的薄膜。 该工艺利用高密度等离子体来增强薄膜沉积所需的化学反应。 HDP-CVD 工艺包括准备半导体衬底，将其放置在工艺室中，并产生高密度等离子体。 等离子体是通过注入氧气和硅源气体产生的，它们反应形成氧化硅层。 将基材加热至高温（550°C 至 700°C）以促进反应。 还引入辅助气体和主要气体，例如氦气，以优化沉积过程。 该方法对 …

2024年8月16日 · 高密度 等离子体 化学气相沉积（HDPCVD）是一种重要的薄膜沉积技术，广泛应用于 半导体 、光电子、 显示器 件等领域。 该技术通过产生高能量和高密度的等离子体来实现对 基板 表面的薄膜沉积。 HDPCVD是一种化学气相沉积（CVD）技术的变种，通过高频 射频 或微波等激励源在气体中产生高密度的等离子体，使沉积物质离子化并沉积在基片表面形成薄膜。 在HDPCVD过程中，当气体被加热至等离子体状态时，分子会解离成原子和离子，并具有较高 …

1．hdp-cvd作用机理. 为了形成高密度等离子体，需要有激发混合气体的射频（rf） 源，并直接使高密度等离子体到达硅片表面。在hdp-cvd反应腔中 （见图4.14），主要是由电感耦合等离子体反应器（icp）来产生并维持高密度的等离子体。当射频电流通过线圈（coil ...

在 hdp cvd 反应腔中，主要是由 电感耦合等离子体反应器(icp)来产生并维持高密度的等离子体。 当射频电流通过线圈 (coil)时会产生一个交流磁场，这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间变化的电场，如 图 6 所示。

高密度等离子体化学气相沉积 (HDP-CVD) 工艺是半导体制造中用于在基板上沉积薄膜（特别是氧化硅层）的专门技术。 该工艺包括准备半导体衬底，将其放置在处理室中，并产生高密度等离子体以促进沉积。 注入氧气和硅源气体等关键气体以形成氧化硅层，而使用氦气等二次和一次气体来控制该过程。 将基材加热至 550°C 至 700°C 之间的温度，以确保正确沉积。 这种方法以其能够生产高质量、均匀的薄膜和出色的阶梯覆盖而闻名，这使得它对于先进的半导体器件至关重要。 …

HDP-CVD. 英語表記：high density plasma CVD. 高密度プラズマ（high Density Plasma）を用いた化学気相成長（Chemical Vapor Deposition）プロセス、またはそれを実現する装置のこと。

2024年11月4日 · HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是一种特殊的PECVD技术。 它能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。 此外，HDP-CVD提供了几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力，特别适用于高要求的薄膜沉积，如抗反射涂层、低介电常数材料沉积等。 工艺温度：室温到300°C之间，工艺温度非常低。 气压范围： 1到100 mTorr之间，比PECVD更低，有助于进一步提高薄膜质量。 薄膜质量： 等离子体密 …