当半导体PIE要知道的65个问题 - 知乎 - 知乎专栏
答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为： ①修补进STI etch 造成的基材损伤； ②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。
[求助] 工艺流程中的一个步骤HDP-OXIDE Deposition - EETOP
2017年5月10日 · 工艺流程中有一道工序是HDP-OXIDE Deposition ,请问这道工序是做什么的？ 还有HDP是什么意思，由什么单词缩写而成的？ 4楼正解，High Density Plasma，是一边dep一 …
芯片制造的核心工艺：一文看懂薄膜沉积 - 知乎
磁控溅射是一种在靶材背面添加磁体的PVD方式，利用溅射源在腔室内形成交互的电磁场，延长电子的运动路径进而提高等离子体的浓度，最终实现更多的沉积。 磁控PVD等离子体浓度更 …
半导体逻辑成熟代工工艺 （0.18/0.13um）的相关step function 讲 …
答：gate oxide是先用湿氧氧化，然后用dry oxide的方式形成的。 DRY OXIDE 生长的氧化物结构、质地、均匀性均比WET OXIDE好，但用WET OXIDE 形成的氧化物的TDDB比较长。
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 工艺 - 百度文库
在 hdp cvd 反应腔中，主要是由 电感耦合等离子体反应器(icp)来产生并维持高密度的等离子体。 当射频电流通过线圈 (coil)时会产生一个交流磁场，这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间 …
High-density-plasma (HDP)-CVD oxide to thermal oxide wafer …
2007年1月30日 · In this report we have carried out a systematic investigation of the bonding behavior between a high-density-plasma chemical vapour deposition (HDP-CVD) oxide and a …
大佬们能说一下半导体的八大工艺流程是什么吗？ - 知乎
dry oxide 生长的氧化物结构、质地、均匀性均比wet oxide好，但用wet oxide 形成的氧化物的tdbb比较长。 TDBB即TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN，其是用于评估氧化 …
SiO2 HDP CVD - Enigmatics
Oxide from high density plasmas, using RF bias on the substrate to enhance ion bombardment energies, has become an accepted approach to oxide deposition for low-temperature …
高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺 - 百度文库
本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(hdp cvd)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成 …
Direct wafer bonding between high-density-plasma chemical vapour deposited (HDP-CVD) oxide and thermal oxide (TO) has been investigated. HDP-CVD oxides, about 230 nm in thickness, …
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