130-45nm制程：使用hdp-cvd方法用psg填充金属前介质层、用sio2填充sti等工艺。hdp-cvd（高密度等离子cvd）是pecvd的一种特殊形式，同时发生薄膜沉积和溅射，能够实现对沟槽和孔隙 …

高密度等离子体化学气相沉积 （hdp -cvd）工艺是 pecvd 工艺的一种特殊形式。在高密度等离子体中，离子化的原子或分子具有较高的能量，在向衬底移动时具有更强的轰击作用，从而能够引 …

pecvd 和 hdpcvd 的主要区别: 等离子体密度:pecvd 使用密度较低的等离子体，而 hdpcvd 使用密度较高的等离子体，因此能更好地控制薄膜特性。 温度要求:与传统的 cvd 相比，pecvd 的工作 …

在hdp cvd工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)进行绝缘介质的填充。 这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间 …

High-density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) is a special form of plasma-enhanced chemical vapor deposition that uses an inductively coupled plasma source that provides a …

了解 hdp-cvd 工艺、其步骤、优势以及在高质量薄膜半导体制造中的应用。 ... rf-pecvd 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 dlc（类金刚石碳膜）。其波长范 …

The HDP film has a higher film density, much lower hydrogen content, in addition to lower polish, wet-etch, and dry-etch rates, than the PECVD film. Therefore, the HDP silicon nitride is …

lpcvd、pecvd和hdp-cvd在材料沉积、设备需求和工艺条件等方面均展现出显著差异。lpcvd以其高温下制备的高质量薄膜和均匀性受到赞誉，但不适用于热敏感材料；而pecvd则因其低温、高 …

为了同时满足高深宽比间隙的填充和控制生产成本，诞生了HDP-CVD工艺，它的特点在于，可以在同一个反应腔中同步地进行沉积和物理轰击（见图4.13），从而实现绝缘介质在沟槽中 …

pecvd 过程中的等离子通常是通过向嵌入低压气体中的电极施加电压而产生的。pecvd 系统可通过不同方式产生等离子体，包括射频 (rf)、中频 (mf)、脉冲直流电或直接直流电。电源提供的能 …