HNO3 氧化Al 生成 Al2O3, H3PO4 除去 Al2O3。 5. Ti. RCA Clean: 美国RCA 公司开发的以双氧水为基础， 加入NH4OH, HCl 或H2SO4试剂，来除去异物质的方法。 主要在40~80℃条件下用来除去有机物和金属污染物。 NH4OH 可以分解成 NH4+ 和OH- 蚀刻SiO2 表面从而除去面的particle。 OH-在particle 和Wafer 表面吸附，产生斥力，防止particle再被吸附到wafer 表面。 H2O2 分解成H2O 和 [O] 活化原子。 [O]为氧化剂. 通过调节H2O2比例 控制SiO2 蚀刻量。 2.

现在主要用的是hno3-hf 腐蚀液和naoh 腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。 1.hno3-hf 腐蚀液及腐蚀原理 通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如hno3）和络合剂（如hf）两部分。

2016年5月22日 · 当 hf含量较高时，腐蚀速度的等高线与 hno3 的浓度常量线平行 ，hno 是动力学的主要试剂 。此 时，腐蚀速度主要取决于 hno 氧化硅片的速度，即 hno3的浓度 ，hf浓度的稍微变化对腐蚀 速度 的影 响不大。

2007年1月12日 · The wet chemical etching of silicon using HNO3-rich HF/HNO3 mixtures has been studied. The effect of different parameters on the etch rate of silicon, for example, the HF/HNO3 mixing ratio, the sil...

本研究采用各向同性湿化学蚀刻法改变高频蚀刻剂浓度，研究了 hf/hno3/甲基羧基混合溶液中蚀刻时间对硅片的影响 。 研究的蚀刻时间为 5分钟至30分钟，高频蚀刻剂浓度在（20-24）wt%的范围内 ， 结果表明，随着刻蚀时间的延长，减重和刻蚀深度的变化单调增加。

2013年1月1日 · Wet chemical etching of multicrystalline Si wafer in mixtures of hydrofluoric (HF) and nitric acid (HNO 3) combines the removal of the saw damaged silicon lattice on top of the wafer with the creation of a certain surface morphology (texture) on the surface of …

2018年8月31日 · hf/hno3混合硅刻蚀工艺广泛用于去除硅片背面研磨后的应力和损伤层。 尽管关于浸渍工艺的报道很多，但关于单次旋转工艺的详细报道却很少。 在单次旋转工艺中，不同 HF/HNO 的 Si 蚀刻速率分布有很大差异3浓度。

介绍 我们华林科纳通过详细的动力学研究，阐明了在富含hf的高频/hno3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。 蚀刻实验后，我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系。

2022年3月7日 · 本文研究了hf、hno3和h2o体系中硅的蚀刻动力学作为蚀刻剂组成的函数。 蚀刻速率与蚀刻剂组成的三轴图显示了两种极端的行为模式。 在高硝酸组成的区域，蚀刻速率仅是氢氟酸浓度的函数。

在这项工作中，传统的各向同性蚀刻剂 hf/hno 3通过将氧化和溶解的同步过程改为异步过程，首次在单晶硅表面成功实现了纳米级定向刻蚀和弧形形貌。 基于自组装单层胶体晶体模板，在单晶硅表面制备大面积、高质量的纳米孔阵列。