h->HFI_Status = HFI_IPD_STATE; // Start HFI. /*如果在 磁极辨识 状态机下，则调用NS_Determination函数完成对磁极的辨识*/ /******************************************** * NS state. ********************************************/ else if(h->HFI_Status == HFI_NSID_STATE) NS_Determination(n,h,i); /*状态机处于高频注入计算状态下*/ /********************************************

说起HFI不得不提到 磁场矢量定向控制 （Field oriented control）的应用场景，FOC是解决同步电机高效运行的关键技术，其控制框架如下图所示， 这里借用一下Microchip文档的控制框图，主要是懒得画的，原理都大同小异。 （关于FOC控制技术，我会新开若干篇文章对其关键原理进行剖析，这里不做赘述） 从图中我们可以知道一个影响控制系统能够顺利进行的关键：转子位置θ。 可能图中内容看上去比较复杂不太好理解。 我用两句话阐述一下： 1. FOC高效驱动转子运行，简 …

2017年5月11日 · “高频注入”（HFI，High Frequency Injection）在永磁同步电机离线参数辨识以及低速运行的应用较为广泛。 TI的InstaSPIN-FOC对HFI进行了一些介绍，其采用的是脉振高频电压注入，如下图所示。

首先，VESC5.01版本的高频注入，应属于， 旋转高频注入法 的一种，即在 α-β轴 上注入一个高频的正弦信号，然后提取高频信息，从而结算出角度。 但于常规的用高频电流来获取角度信息方法不同，其计算的不是电流，而实电感。 且通过 FFT （快速傅里叶变换）的方法快速得到角度信息，同时还可以得到 均值电感 和 差值电感。 具体来说： 电机在α-β轴的电压方程如下： 当电机处于低速时，忽略电阻上的压降和反电动势的影响： 进一步: 其中Uαh 、Uβh 分别表示注入电压 …

2020年12月30日 · 本文将从高频注入的概念和原理出发，详细介绍HFI方波高频注入的工作原理，并提供HFI和esmo的详细开发文档。在HFI方波高频注入中，通过使用HFI技术，将高频信号注入到程序的指定位置，以提高程序的执行效率和性能。1.

2017年9月19日 · 实现高频注入（HFI）算法， 步骤如下： 1. 零速时转子位置定位； 2. 磁极性判断； 3. HFI闭环启动：由零速到低速； 4. 退出HFI，切入高速观测器，进入高速。 本实验选用普通BLDC，没有凸极性。淘宝上有卖： https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z0d.6639537.1997196601.262.bS7E7J ...

如您所回答的那样、有一个用于 ID 和 IQ 的高通滤波器用于提取 HF 组件、还有一个只用于速度估算的可选低通滤波器、这两个滤波器都在 HFI .lib 中定义和调用、而不是在示例项目文件中。

2017年10月8日 · Iq，Id都要加低通滤波器（LPF）的，因为有高频噪声要滤除，降低电流环的响应频率解决不了高频噪声。 西莫电机论坛微信公众平台正式上线！ ★详情请点击★ 西莫电机论坛会员交流专用群欢迎您 加群请注明论坛用户名及所从事专业，否则不予通过

2024年1月31日 · 当 d 轴直流偏置给定与转子磁极极性相同时（A 点）， 定子磁通 d 饱和程度增强，增量电感减小，d 轴高 频响应电流幅值增大；相反，当 d 轴直流偏置给定 与转子磁极极性相反时（B 点），定子磁通饱和程度 减弱，增量电感增大，d 轴高频响应电流幅值减小. id_max = in _temp; id_min = in _temp; id_ index++; d_direction_ok = 1; d_direction_ok_cnt 1++; hfi_integrator = hfi_integrator + PI; d_direction_ok_cnt 2 = 0; d_direction_ok_cnt 2++; id_max = 0.0 f;

本仓库提供了一套完整的HFI（High-Frequency Injection）脉振方波高频注入代码与增强滑膜ESMO（Enhanced Sliding Mode Observer）代码，并配套有详细的文档，非常适合学习和研究使用。