HBM 高带宽存储突破性地堆叠 DRAM Die，实现小体积、高带宽和高速传输。 采用 TSV 技术，将多层 Die 连接至逻辑 Die，提供高达 800GB/s 的带宽，满足高性能 AI 服务器 GPU 需求。 SK海力士 发布HBM3E，提供8Gbps传输速度和16GB内存，将于2024年量产。 HBM3E是HBM3的扩展版本，为高性能计算和人工智能应用提供突破性性能。 HBM（高速宽带存储器）以人工智能（AI）服务器为主要应用场景。 最新一代HBM3e已搭载于 英伟达 2023年推出的H200中。 根据 …

Experimental results confirm 896-GB/s bandwidth operations at 1.0-V voltage conditions with up to 15% improved power efficiency. This article introduces a 192-Gb 896-GB/s 12-high stacked third-generation high-bandwidth memory (HBM3 DRAM) with …

In this paper, through-silicon via (TSV) circuit models for the third generation of high bandwidth memory (HBM3) are developed utilizing 3D IC stacking technology with micro-bump or hybrid bonding. A good agreement between the results of the equivalent model and the full-wave simulation would be seen.

2024年3月1日 · 2）TSV： TSV硅通孔是实现容量和带宽扩展的核心，通过在整个硅晶圆厚度上打孔，在芯片正面和背面之间形成数千个垂直互连。 在HBM中多层DRAMdie堆叠，通过硅通孔和焊接凸点连接，且只有最底部的die能向外连接到存储控制器，其余管芯则通过内部TSV实现互连。 以上内容来自智能计算芯世界. 一文看懂英伟达A100、A800、H100、H800各个版本有什么区别？ - 知乎 (zhihu.com) 人工智能训练与推理工作站、服务器、集群硬件配置推荐. 整理了一些深度 …

New design schemes and features, such as all-around power-through-silicon via (TSV), a 6-phase read-data-strobe (RDQS) scheme, a byte-mapping swap scheme, and a voltage-drift compensator for write data strobe (WDQS), are implemented to achieve extended bandwidth and capacity with enhanced reliability.

2）TSV： TSV硅通孔是实现容量和带宽扩展的核心，通过在整个硅晶圆厚度上打孔，在芯片正面和背面之间形成数千个垂直互连。 在HBM中多层DRAMdie堆叠，通过硅通孔和焊接凸点连接，且只有最底部的die能向外连接到存储控制器，其余管芯则通过内部TSV实现互连。 以上内容来自智能计算芯世界. 一文看懂英伟达A100、A800、H100、H800各个版本有什么区别？ - 知乎 (zhihu.com) 人工智能训练与推理工作站、服务器、集群硬件配置推荐. 整理了一些深度学习， …

Abstract—In this paper, through-silicon via (TSV) circuit models for the third generation of high bandwidth memory (HBM3) are developed utilizing 3D IC stacking technology with micro-bump or hybrid bonding. A good agreement between the results of the equivalent model and the full-wave simulation would be seen.

tsv 是穿透硅芯片的微小铜柱，使信号和电力能够在堆栈中垂直流动。这种垂直互连允许数百个信号并行传输，从而实现了定义 hbm 高性能能力的宽数据接口。 ... nvidia 专为 ai 和高性能计算打造的 a100 和 h100 gpu，利用多个 hbm2/hbm3 堆栈支持数千个 cuda 核心。

2023年11月9日 · 2023年4月，在全球首次实现垂直堆叠12个单品dram芯片，成功开发出最高容量24gb的hbm3 dram新产品，利用tsv技术将12个比现有芯片薄40%的单品dram芯片垂直堆叠，实现了与16gb产品相同的高度，容量较上一代hbm3 dram提升50%，并将供货包括英伟达、amd、微软、亚马逊在内的 ...

2025年1月22日 · hbm3 是 hbm 系列的最新一代，经过进一步优化，提供更高的性能和更低的功耗，是当前 gpu 和高性能计算系统中的关键技术。 HBM3 的主要有以下特点。 方正证券-半导体行业专题报告： HBM 高带宽 内存 ，新一代DRAM解决方案-230424.pdf