HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比 HBM 高带宽存储突破性地堆叠 DRAM Die，实现小体积、高带宽和高速传输。 采用 TSV 技术，将多层 Die 连接至逻辑 Die，提供高达 800GB/s 的带宽，满足高性能 AI 服务器 GPU 需求。

In this paper, through-silicon via (TSV) circuit models for the third generation of high bandwidth memory (HBM3) are developed utilizing 3D IC stacking technology with micro-bump or hybrid bonding. A good agreement between the results of the equivalent model and the full-wave simulation would be seen. In addition, the power, performance, and area (PPA) metrics of both stacking techniques are ...

With the emergence of large-language models (LLM) and generative AI, which require an enormous amount of model parameters, the required memory bandwidth and cap

2024年3月1日 · 目前迭代至HBM3的扩展版本HBM3E，提供高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士率先发布，将于2024年量。 HBM主要应用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。

三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，凭借三星卓越的12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上 先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能

HBM3 于 2022 年 1 月推出，是一种高性能 2.5D/3D 内存架构，HBM3的位宽还是 1024 bit，速率达到 6.4 Gb/s，能提供 819 GB/s 的带宽；而 HBM3E 速率达到了9.6 Gb/s，目前是最新一代的 HBM。

Abstract—In this paper, through-silicon via (TSV) circuit models for the third generation of high bandwidth memory (HBM3) are developed utilizing 3D IC stacking technology with micro-bump or hybrid bonding. A good agreement between the results of the equivalent model and the full-wave simulation would be seen.

2024年3月30日 · 三星先进的热压非导电薄膜技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善 HBM 的热性能。 相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升 34%，同时推理服务用户数量也可增加超过 11.5 倍。 各家的量产进度

2024年4月26日 · 相较于传统打线技术（Wire Bond）的“线连接”，Bump 技术“以点代 线”，在芯片上制造 Bump，连接芯片与焊盘，此种方法拥有更高的端口 密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导 性及可靠性，也是进行 FC（Flip Chip）倒装工艺在内的 ...

HBM3E provides maximum capacity of 36GB and maximum per-pin data rate is 9.6Gbps, where maximum bandwidth exceeds 1.23TB per second, which is a 1.4times improvement compared to HBM3 both in terms of capacity and bandwidth. SK …