HBM3 于 2022 年 1 月推出，是一种高性能 2.5D/3D 内存架构，HBM3的位宽还是 1024 bit，速率达到 6.4 Gb/s，能提供 819 GB/s 的带宽；而 HBM3E 速率达到了9.6 Gb/s，目前是最新一代的 HBM。

2024年3月1日 · 目前迭代至HBM3的扩展版本HBM3E，提供高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士率先发布，将于2024年量。 HBM主要应用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。

2024年3月10日 · Rambus HBM3E/3 内存控制器内核将数据速率提高到市场领先的每个数据引脚 9.6 Gb/s（远高于 6.4 Gb/s 的标准速度）。 该接口具有 16 个独立通道，每个通道包含 64 位，总数据宽度为 1024 位。

Micron HBM3E has an industry best data rate of >9.2 Gb/s and 24GB capacity in an 8-high cube, resulting in >1.2 TB/s bandwidth with 2.5X performance/watt compared to the previous generation HBM2E. All this is made possible with the most advanced 1β process node from Micron along with innovations in CMOS and packaging technologies.

SK海力士 发布HBM3E，提供8Gbps传输速度和16GB内存，将于2024年量产。 HBM3E是HBM3的扩展版本，为高性能计算和人工智能应用提供突破性性能。

Micron HBM3E is the fastest, highest-capacity high-bandwidth memory to advance AI innovation — an 8-high, 24GB cube that delivers over 1.2 TB/s bandwidth and superior power efficiency. Micron is your trusted partner for AI memory and storage innovation.

HBM3E is highly energy-efficient because the data path between the host and memory is shorter. The DRAM communicates with the host through silicon vias or TSVs, which Girish explains as being similar to a toothpick through a burger. It takes power and data from the bottom die and moves it to the top memory layer.

HBM3E provides maximum capacity of 36GB and maximum per-pin data rate is 9.6Gbps, where maximum bandwidth exceeds 1.23TB per second, which is a 1.4times improvement compared to HBM3 both in terms of capacity and bandwidth. SK …

2024年5月6日 · HBM3E是高带宽内存技术的最新版本，提供8Gbps传输速度和16GB内存容量，适用于高性能计算、人工智能和图形处理等领域。 HBM3E凭借其高带宽、低功耗和大容量特性，为AI服务器和数据中心带来显著性能提升，推动行业变革。

在开发 HBM3E 1时， SK 海力士 引入了世界上第一个 6 相读取数据选通 (RDQS) 设计方案，以解决扩展和数据传输限制。 这种创新的设计方法使 HBM3E 在性能方面超越了其前代产品，同时保持了相同的紧凑封装尺寸。