通过对各种候选低介电常数材料的性能和制备方法的综合分析，总结出SiCO (H)薄膜材料综合了无机材料良好的热稳定性和力学性能以及有机材料低k值的优点，为此，选取含有Si、C、O、H元素的前驱体分子为研究对象，通过溶胶凝胶的方法，利用旋涂工艺涂膜，获得了SiCO (H)薄膜，经由350℃退火处理后得到含有Si-O-Si键的薄膜材料，并系统研究了其结构组成，热稳定性，电学和力学等性能。 由前驱体2- (3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷经过溶胶-凝胶过程和旋涂工艺制 …

2014年5月25日 · In this work, we study the PE-CVD deposition of a-SiCO:H films using octamethyl cyclotetrasiloxane (OMCTS) as a precursor, targeting a dielectric constant of 3.5 or below. The effect of process parameters on film characteristics and chemical bonding structure was investigated.

2019年1月2日 · 一种低介电常数的sico间隔层薄膜，是以co/co2的混合气体作氧化剂、通过等离子体增强原子层沉积方法制备而成，薄膜中含有-si-ch3与-si-ch2ch3结构。 薄膜的介电常数为3.90，c含量为26％，密度为1.92g/cm 3 ，覆盖率为95％。

碳氧化硅（sico）薄膜具有独特的纳米域结构，表现出多种功能特性和高温稳定性，而sico与衬底界面的机械性能是提高微电子薄膜器件可靠性的关键问题之一。在这项工作中，通过实验和扩展有限元（xfem）方法研究了sico薄膜的断裂性能和界面强度。

The polymer-based synthesis of ceramics such as SiCO (and SiCN) leads to the incorporation of significant amounts of carbon into their molecular structure. A key feature of the nanostructure of these polymer-derived ceramics is the revelation of persistent, 1-5 nm size domains by small-angle X-ray scattering.

通过对富氏变换红外光谱 (FTIR)的分析，比较了反应源和薄膜键结构的差异，证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构，另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构，在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后，其介电常数由3 85降低到2 85，对其FTIR谱的分析指出，薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.

聚合物转化陶瓷（PDCs）技术，即通过有机高分子聚合物经过高温裂解制备无机陶瓷的技术。常见的陶瓷体系包括SiC、Si3N4、BN、AlN等二元体系，SiCN、SiCO、BCN等三元体系，以及SiCNO、SiBCN、SiBCO、SiAlCN、SiAlCO…

《耐高温Si-C-O气凝胶复合材料组成、结构及其隔热机理研究》是依托中国人民解放军国防科技大学，由冯坚担任项目负责人的面上项目。 针对SiO2气凝胶耐温性较低问题，以改性的有机硅醇盐引入C源，采用溶胶-凝胶、超临界干燥和裂解工艺，制备耐更高温度的Si-C-O气凝胶；针对Si-C-O气凝胶强度低问题，以聚碳硅烷预氧化超细纤维棉为增强相，保持与气凝胶同步原位裂解，实现 SiC纤维的增强与遮挡红外辐射传热耦合匹配功能，获得耐高温、低热导、高强度的Si-C-O气 …

2024年10月10日 · sicosil®sico-n113e主要用于渲染广泛的表面和材料拒水剂(如矿物填料、颜料、玻璃纸板)。 SICOSIL®SICO-N113E可使用纯或溶液处理填料，使用合适的混合设备。

2015年2月14日 · 高镍前驱体材料、高镍正极材料及其制备方法; 正极材料前驱体及其制备方法、正极材料及锂电池; 钾离子电池正极材料及其前驱体、以及制备方法; 薄膜材料及其制备技术 《薄膜材料及其制备》课件 电极前驱体材料的制备与表征; 元素浓度梯度分布的前驱体材料及其制备方法、 …