Qgd（栅漏电荷），也称为米勒电荷，是在MOS管进入所谓的“米勒平台期”期间，由于Vds下降而给 Cgd 充电所需的电荷，Qgd依存电源电压VDS，另外是影响开关特性的特性参数。

Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。 单位为库伦（C），总栅极电荷量越大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。

第二个水平线段中，器件从接通转换为完全启动状态，所有Ig电流进入Crss，因此Vgs不变。这一段该阶段的电荷称为 Qgd，决于Crss断开状态和接通状态的漏极(或集电极)电压，Qgd值影响器件的开关性能。 最后阶段，器件完全启动，Ciss_on恢复充电。

2019年10月29日 · Qgd：栅极和漏极电荷. Qgs：栅极和源极电荷 栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大额定值的50%。

Qgd是从t2到t3时间段内注入栅极的电荷。 当VGS继续上升直至超过阈值电压VT和平台电压VPL，由于栅极电流转移的电荷的影响，VGS的斜率将显著降低（甚至降低到零）。

Qg( 栅极电荷): 栅极电荷Qg 是使栅极电压从0 升到10V 所需的栅极电荷,是指MOS开关完全打开,Gate 极所需要的电荷量。 虽然MOS 的输入电容, 输出电容, 在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。 静态时,Cgd 通常比Cgs 小,实际在MOS 应用中,当个Gate加上驱动电压后,于Mill 效应有关联的Cgd 会随着Drain 极电压变化而呈现非线性变化,而且其电容值会比Cgs大. 20 倍以上,虽然Cgs 也会随着Grain-Source 电压变化,但是 其数值变化不大,通常会增 …

2024年12月21日 · 驱动电荷是指MOS管开关过程中所需电荷的数量：包括总的驱动电荷（QG）、栅极-源极充电电荷（QGS）、栅极-漏极充电电荷（QGD）。 QG决定着栅极峰值电流及驱动损耗，QGD相当于米勒电容CRSS，依存电源电压VDS，影响开关特性；高频（f≥100kHZ）应用中，若Ron*Qg和Ron*Qgd的积越小，器件的性能就越高。 图4：栅源电压和栅电荷的函数曲线. 跨导（Gm） 是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大 …

栅极电荷：由于MOSFET的栅极（G）输入端子是绝缘的，因此从栅极看到的电荷量Q是重要特性。 图1.5展示了栅极电荷特性的定义。

2023年5月29日 · Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd 表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。 单位为库伦（C），总栅极电荷量越大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。

1. Qg并不等于Qgs+Qgd！！ Qg = Qgs + Qgd + Qod 其中：Qod——Miller电容充满后的过充电荷. 2. Vgs高，Qg大，而Qg大，驱动损耗大