2024年7月10日 · 英飞凌 HFB (Hybrid-flyback) 架构，即混合反激架构，是实现高功率密度，高性价比开关电源的最具优势的拓扑结构。 本文主要介绍开发混合反激技术的必要性、英飞凌混合反激技术的优势，以及英飞凌相关混合反激控制器产品的功能特征。

AHB是 Asymmerical Half-Bridge 非对称半桥的缩写，AHB控制器即是通过使用两颗开关管组成半桥结构，使用电容与变压器初级线圈串联，共同储能，并通过新增的开关管，将电容能量通过变压器传递到次级的器件。 相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗，AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用，还实现了主开关管零电压开通以及同步整流管零电流关断，减小了开关损耗，同时也减小发热。

混合反激式 (HFB) 是用于超高功率密度和具有成本效益的开关模式电源 (SMPS) 最有希望的拓扑。 在这种拓扑中,变压器和谐振电容器均在能量从初级侧传输到次级侧期间在中间存储能量。 与反激式转换器及其变型相比,这可缩减必要的变压器尺寸。 此外,由于谐振特性,这种拓扑在宽输入范围内运行良好,而开关频率限制在相对较小的范围内,这对 EMI 滤波器的设计十分有益。 XDPS2201 是用于这种 HFB 转换器的新型控制器 IC。 IC 的主要特点和优势是: 图 1 显示了 HFB 转换器主级 …

2022年8月4日 · 英飞凌 HFB+CoolGaN IPS 快充方案将两颗氮化镓与驱动电路集成在一个封装内部，面积与单个氮化镓器件相同，转化效率最高达 95%，相比旧有方案减少 21% 的效率损耗，高度集成减少电路复杂性与体积，高效率也带来了更低的发热温升。

2022年7月26日 · 安克 120W 充电器搭载全球首发的英飞凌 HFB 架构，将两颗氮化镓与驱动电路集成在一个封装内部，面积与单个氮化镓器件相同，转化效率最高达 94%以上，相比旧有方案减少 21% 的效率损耗，高度集成减少电路复杂性与体积，高效率也带来了更低的发热温升。 安克 120W 充电器，实测三围尺寸分别为 32.07mm * 43.06mm * 80.22mm，体积 110.78cm³，比苹果 140W 充电器体积还小 40%。 按照额定输出功率 120W 计算，安克 120W 充电器功率密度 …

2024年7月12日 · 英飞凌 HFB (Hybrid-flyback) 架构，即混合反激架构，是实现高功率密度，高性价比开关电源的最具优势的拓扑结构。 本文主要介绍开发混合反激技术的必要性、英飞凌混合反激技术的优势，以及英飞凌相关混合反激控制器产品的功能特征。

2023年2月21日 · 該器件在單一封裝中集成了一個AC-DC功率因素校正（PFC）控制器和一個DC-DC混合反激式控制器（HFB）（也被稱為不對稱半橋（AHB）反激式控制器），通過這兩級的協同運行，可輕鬆滿足法規要求。 此外，由於進一步集成了所有柵極驅動器和用於VCC供電的600V高壓啟動單元，以及經認證的有源X電容放電電路，減少BOM成本和外部元件數量。 集合氮化鎵器件，這款基於全新零電壓開關（ZVS）HFB拓撲結構產品，能夠在各種輸入和負載條件 …

该器件在单一封装中集成了一个AC-DC功率因素校正（PFC）控制器和一个DC-DC混合反激式控制器（HFB）（也被称为不对称半桥（AHB）反激式控制器），通过协调这两级的运行，可轻松满足法规要求。 此外，由于进一步集成了所有栅极驱动器和用于初始IC电压供应的600V高压启动单元，以及经认证的有源X电容放电电路，减少外部BOM成本和元件数量。 这款产品基于全新零电压开关（ZVS）HFB拓扑结构与氮化镓器件的结合，能够在各种线路/负载条件下提供领先于同类 …

2022年4月2日 · 本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级（IPS）技术应用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器拓扑。 采取这种方式可以更快速、更轻松地设计出充电器和适配器解决方案，以打造更小巧、更轻便的产品，或者虽尺寸相同但功率更高的产品，用于为设备快速充电，或用一个适配器为多个设备充电。 事实证明，得益于零电压开关（ZVS）和无缓冲损耗，诸如有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器等 …

Anker安克 120W、150W充电器在外观上拥有相同的设计语言，并且皆是全球独家首发HFB 架构和 iGaN 结合的全新技术；采用PFC+HFB 电路架构，并内置英飞凌氮化镓器件，配合安克自主开发的迷你变压器通过高密度堆叠排布设计，做到体积与性能的全方位升级。