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2024年4月13日 · 所谓HKMG分为HK和MG两部分，HK指的是栅氧化物用 高介电常数材料 （High-K材料，常用HfO2）替代传统的SiO2或SiON，在不改变等效氧化层厚度（EOT）的情况下，增加物理厚度，改善量子隧穿效应，需要注意的是HfO2与Si直接接触会存在一些问题，因此与硅衬底间仍需要一层IL（Interface Layer）结构作为过渡层； 先栅工艺 （Gate First）中与硅栅间需要金属结构作为过渡层， 后栅工艺 （Gate Last）中则直接使用 金属栅，相关结构示意图见下文。 MG …

HK GMG（德文：Granat—Maschinen—Waffe，简称HK GMW；英文：Grenade Machine Gun，简称HK GMG；意为：榴弹机枪）是一台由黑克勒-科赫为 德国联邦国防军 设计的40 毫米全自动型榴弹发射器，发射40 x 53 毫米榴弹。 HK GMG射速为每分钟大约340 发，以32 发 弹链 供弹，由于可以在两边装填，因此两边也可以自由操作，适合 左撇子 或右撇子。 枪机为后座作用操作，击针装有保险装置以防止走火。 快慢机装置于机匣的后方，可以轻易地在半自动射击和 …

2021年11月6日 · HKMG此技术的定义简单的可以如下文表述，利用 HK介质材料代替SiON 和利用 金属栅取代多晶硅栅 的技术称为HKMG工艺技术。 这里有两个点：1）采用High k介质材料代替SiON；2）利用金属栅取代多晶硅栅。 按照咱们的正常逻辑，我们在介绍HKMG的时候，首先要了解什么是HKMG，以及为什么使用HKMG技术的原因。 为什么要使用HKMG呢？ 主要是在进入45nm以后技术节点，集成电路制造工艺所遇到的挑战。 一直以来集成电路行业一直在追 …

HK GMG 40mm自动 榴弹发射器 是德国HK公司历经8年研制成功的 一种轻便型自动榴弹发射器，因结构简单、操作性良好而受到青睐。 HK GMG自动榴弹发射器. 1997年，HK公司展示了被称为GMG的自动榴弹发射器的测试影片，试验地点为美国亚利桑那州沙漠地区，包括日间和夜晚，以显示这具武器系统能在任何时间任何地点正常使用，当时被称为“HK武器系统” (HK Weapon System)。 GMG是德语“Granat Maschinengewehr”的缩写，而英文则可翻译为“Grenade …

HKGMG是一台由黑克勒-科赫为德国联邦国防军设计的40毫米全自动型榴弹发射器(德文全称：Granat—Maschinen—Waffe，简称：HKGMW。 英文全称：GrenadeMachineGun，简称：HKGMG（意为：榴弹机枪））

GMG 是德语“ Granat Maschinengewehr ”的缩写，而英文则可翻译为“ Grenade Machine Gun ”，总之都是“ 榴弹机枪 ” 的意思。 GMG发射的榴弹并非普遍的4 0x46 mm，而是40 x 53 mm，虽然长度只是多出7mm，但初速却可以达到240m/s，而其他如M203之类所发射的4 0x46 mm榴弹的初速只有70m/s。 所以普通榴弹发射器的直射距离只有100米左右，而GMG的直射距离可达1,500m。 GMG的体积比Mk19略大. GMG的供弹方向可以从左右两边任选方向. 调整三脚架的 …

高K介质于 2007年开始进入商品制造，首先就是 Intel 45 nm工艺采用的基于铪 (hafnium)的材料。 氧化铪 (Hafilium oxide, 即HfO2 )的k=20 。 有效氧化物厚度（EOT）由下式给出： EOT=3.9*Tox这里：EOT为有效氧化物厚度，Tox为氧化层厚度，K为材料的介电常数。 氧化铪的k=20 ，比SiO2高6倍，这意味着6nm厚的HfO2提供相当于1nm SiO2的EOT。 在多晶硅和栅介质的界面上会形成一层耗尽层。 这相当于加大了 TOX, 因而对性能而言是不希望有的。

2025年3月16日 · HKMG（High-K Metal Gate ），是45nm，32nm，22nm及以下节点多采用的工艺，它使用高k材料做栅介质层，用金属材料（如铪，钛，钽）来取代传统的多晶硅栅极。 关于HKMG工艺，可以见之前的文章： 为什么要用高k材料做栅介质层材料？ HKMG工艺优点？ 1， 高K材料增加了栅极介质的等效氧化物厚度（EOT），从而显著降低了漏电流。 2，晶体管尺寸可以进一步缩小，同时具有高性能和低功耗的优势。 为什么要用金属栅极而不是多晶硅栅极？ 1， …

2024年1月19日 · 选用高k材料（High-k material）代替SiON作为栅介质层，可以在相同等效栅氧化层厚度的情况下，得到物理厚度更大的栅介质层，从而改善栅极漏电流。 图2.材料禁带宽度与介电常数. 长期以来，研究人员在高k材料领域进行了大量的基础研究，发现了很多高k材料。 例如从早期的Si3N4，Al2O3到后期的Ta2O5、 Ti O2、La2O3和HfO2等。 但是这些高k材料都不能很好地与目前的工艺兼容，它们只能满足工艺的某一方面的特定要求。 Si3N4与Si的晶格匹配得很 …