
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 | SK hynix Newsroom
2022年11月8日 · SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 组成DRAM的晶体管 (Transistor)包括存储数据的单元晶体管 (Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管 (Core Transistor),以及涉及控制逻辑和数据输入和输出的外围晶体管 (Peripheral Transistor)。 随着技术的进步,单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。 …
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
2022年11月10日 · SK海力士全球首次在移动端DRAM采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工艺,成功研发出了LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X),并于近期开始正式销售。 *HKMG(High-K Metal Gate):在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一 ...
集成电路HKMG工艺简介(Gate First/Gate Last) - 知乎专栏
2024年4月13日 · 所谓HKMG分为HK和MG两部分,HK指的是栅氧化物用 高介电常数材料 (High-K材料,常用HfO2)替代传统的SiO2或SiON,在不改变等效氧化层厚度(EOT)的情况下,增加物理厚度,改善量子隧穿效应,需要注意的是HfO2与Si直接接触会存在一些问题,因此与硅衬底间 …
[2024年新高管访谈:第六篇] 完成引领AI时代的HBM技术发展蓝 …
2024年3月28日 · 2022年,权副社长担任DRAM开发技术研究委员期间,首次在全球范围内将HKMG(High-K Metal Gate) 2 工艺应用于移动DRAM LPDDR产品,并成功开发出具备超高速及超低功耗特性的LPDDR5X与LPDDR5T。
上周聊过TSV工艺技术,实现HBM的两种途径, 微导纳米 说:小孩子才做选择,成年人我都要。:),下周聊聊HKMG …
2024年6月2日 · ——HKMG(High-K Metal Gate):在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质…… 聊聊核心技术TSV,是英文Through-SiliconVia的缩写,即晶圆级系统封装硅通孔,是一种通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的封装技术。 如果说Wirebonding(引线键合)和Flip-Chip(倒装焊)的Bumping(凸点)提供了芯片对外部的电互连,RDL(再布线)提供了芯片内部... 上周聊过TSV工艺技术,实现HBM的两种途径, 微导纳 …
SK海力士引领High-k/MetalGate工艺变革 - 电子工程专辑 EE ...
2022年11月8日 · 借助HKMG,一层薄薄的高k薄膜可取代晶体管栅极中现有的SiON栅氧化层,以防止泄漏电流和可靠性降低。 此外,通过减小厚度,可以实现持续微缩,从而显著减少泄漏,并改善基于多晶硅/SiON的晶体管的速度特性。
海力士:引领High-k/Metal Gate工艺变革 - 雪球
2024年6月15日 · sk海力士的lpddr5x dram是首款在低功耗应用中使用hkmg成功批量生产的产品,通过大尺度微缩,同时利用全新hkmg晶体管构建块的优势了,晶体管的性能获得显著提升;考虑到hkmg的固有特性和针对hkmg优化的设计方案,可以有效控制泄漏电流,较之poly/sion,速度提 …
集成电路制造工艺——HKMG - 知乎 - 知乎专栏
2021年11月6日 · HKMG此技术的定义简单的可以如下文表述,利用HK介质材料代替SiON和利用金属栅取代多晶硅栅的技术称为HKMG工艺技术。 这里有两个点:1)采用High k介质材料代替SiON;2)利用金属栅取代多晶硅栅。
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 - 艾邦半导体网
SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于 全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 组成DRAM的晶体管 (Transistor)包括存储数据的单元晶体管 (Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管 (Core Transistor),以及涉及控制逻辑和数据输入和输出的外围晶体管 (Peripheral Transistor)。 随着技术的进步, 单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。 另一方 …
SK hynix Enters Industry’s First Compatibility ... - SK hynix Newsroom
2023年5月30日 · Offers fastest operating speed in DDR5 history, ultra-low power consumption with adoption of HKMG process; Expects to successfully complete validation of industry-leading 1bnm DDR5; Mass production of industry’s most advanced 1bnm DDR5 to help improve 2H23 earnings; 1bnm technology to be applied to high-end products including LPDDR5T, HBM3E ...