1.定义 半值层就是将入射的X或γ射线光子数（照射量率）衰减一半（50%）所需要的屏蔽层厚度，用HVT或 HVL表示。 以此类推，分值层（1/10值层）就是将入射的 X 或γ射线光子数（照射量率）衰减到1/10（10%）的屏蔽层厚度，用TVT或 TVL 表示。

2022年11月16日 · HVT and TVT are also called half-value layers (HVL) and tenth-value layers (TVL). These are defined as the thickness of a shield or an absorber material that reduces the radiation intensity by one-half or one-tenth of its initial value.

2019年11月25日 · The half-value thickness (HVT) and the tenth-value thickness (TVT) are used to determine the strength of radiation shielding. The HVT and TVT are the thickness of an absorber sample that will reduce the initial radiation intensity to …

半值层就是将入射的X或γ射线光子数衰减一半 (50%)所需要的物质层厚度，用HVT表示。 以此类推，1/10值层就是将入射的X或γ射线光子数衰减到1/10 (10%)的物质层厚度，用TVT表示。

2021年9月29日 · Half-Value Thickness and Tenth Value Thickness for Heavily Filtered Gamma Rays and Bremsstrahlung in broad beam conditions Table 4.8 (2) Examples for everyday use In the above table, TVT and TVL (and HVT and HVL) are the same quantity)

2019年11月25日 · The HVT and TVT are the thickness of an absorber sample that will reduce the initial radiation intensity to one-half and one-tenth, respectively. These can be calculated as HVT=ln2/μm and...

速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。 即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小； 对于NPN的晶体管是n型半导体，其导电是电子，P衬底多子是空穴，掺杂越高电子越少，越难以导电，阈值电压上升，泄露功耗变少。 对于 PNP晶体管 是P型半导体，其导电是空穴，N型衬底是电子，掺杂越高空穴越少，越难以导电。 这几个都是CMOS集成电路的 Vth阈值电压相关的基本概念。 通常将传输特性曲线中输出电压随 …

文章介绍了MOS管的阈值电压Vt概念，以及不同阈值类别如HVT、SVT、LVT和ULVT在速度、延迟和功耗上的差异。 低阈值电压能提高速度但增加漏电流，而高阈值电压则相反。

在逻辑综合中，设计人员可以选择使用不同的 HVT/SVT/LVT 逻辑门，以满足特定的性能和功耗要求。 例如，在需要低功耗的应用程序中，可以使用 HVT 逻辑门，而在需要更高性能的应用程序中，则可以使用 LVT 逻辑门。

2022年9月21日 · HVT LVT SVT 是指工艺库中可提供的cell类型，HVT表示高阈值电压，功耗低（因为low leakage）、速度慢，LVT表示低阈值电压，功耗高但速度快，SVT（也有叫RVT）居中。