
晶圆级封装之重新分配层(RDL)技术
2024年8月26日 · RDL是将原来设计的芯片线路接点位置 (I/O pad),通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置,使芯片能适用于不同的封装形式。 基于明阳在半导体领域的布局,先进封装载板与测试板进行工艺技术研发。 当前工艺主要分为tenting,mSAP,SAP三种,Tenting制程由于蚀刻工艺的限制, 通常难以制作线宽/线距小于30/30μm的线路,mSAP制程的是在超薄铜箔上进行线路铜的加厚,随后通过闪蚀工得到完整的导电线路。 具有制作线宽/线距小至25/25μm及 …
Hybrid Substrate by Fan-Out RDL-First Panel-Level Packaging
The panel-level redistribution-layer (RDL)-first fan-out packaging for hybrid substrate is studied. Emphasis is placed on the process, materials, design, and fa
Hybrid RDL Design in Fan-out Package - IEEE Xplore
In this paper, a novel structure is proposed. Different thickness of RDL is designed. Use thicker copper layer for high speed signals and thin copper layer is for high density signals. The hybrid RDL structure is developed to solve high conductor loss of high speed signals on RDL layers. Conferences > 2021 IEEE 23rd Electronics Pa...
零基础学习半导体器件(5)---RDL技术 - 知乎
RDL (ReDistribution Layer,重布线层) 是 晶圆级封装 (WLP)中的关键结构,用于重新分配芯片的输入/输出(I/O)接点位置。 传统芯片的I/O焊盘(Pad)通常位于芯片边缘,限制了封装密度和信号传输效率。 RDL通过金属布线在芯片表面形成多层互联网络,将I/O接点重新布局至任意位置,从而适配不同封装形式(如 Flip-Chip 、 Fan-Out 等),并提升信号完整性和集成密度。 RDL的制造工艺主要分为三类: Tenting 、 mSAP (改良型半加成法)和SAP(半加成法) …
什么是RDL技术,为什么现在这么火? - 知乎
RDL(ReDistribution Layer,重布线层) 是晶圆级封装(WLP)中的关键结构,用于重新分配芯片的输入/输出(I/O)接点位置。 传统芯片的I/O焊盘(Pad)通常位于芯片边缘,限制了封装密度和信号传输效率。
Hybrid 3D Package with RDL and Laminate Substrate for Ultra-Thin …
In this work, a hybrid 3D package combining a redistribution layer (RDL) and laminate substrate layer for ultra-thin and high-bandwidth mobile applications are
Hybrid RDL Design in Fan-out Package - Semantic Scholar
2021年12月7日 · The hybrid RDL structure is developed to solve high conductor loss of high speed signals on RDL layers to reduce the RDL length.
通过低温混合键合实现先进封装应用的新型低翘曲 Hyper RDL …
为了最大限度地减少多层 RDL 中介层的翘曲,提出了一种称为超级 RDL (HRDL) 的新方法。 HRDL 采用低温混合键合方法堆叠 RDL 层,与传统的半加成工艺 (SAP) 相比,翘曲至少减少 20 倍。
Hybrid Substrate by Fan-Out RDL-First Panel-Level Packaging
2021年7月13日 · The panel-level redistribution-layer (RDL)-first fan-out packaging for hybrid substrate is studied.
先进封装之混合键合(Hybrid Bonding)的前世今生 - 艾邦半导体网
Hybrid Bonding是近几年被叫响的,在之前业界通常称其为DBI(Direct Bond Interconnect,直接键合连接),它是在20世纪80年代中期由Paul Enquist,Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所(RTI)的实验室首次构思,DBI因其优雅和简洁而成为键合大海上的明灯。
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