光诱导电阻变化（OBIRCH，Optical Beam Induced Resistance Change），激光作用于半导体材料时，会产生两种效应，一种是热效应，另一种是光生载流子效应。 如果激光波长的能量小于半导体能带，半导体仅仅发生热效应；当大于或接近半导体能带时，会产生热和光生 ...

光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有芯片异常的漏电，它都可以产生亮点出来。

OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、 通孔 (via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有效的检测短路或漏电。 OBIRCH 能分析的 Defect 种类 : 1）Metal short or metal bridge。

雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位置，並產生溫度梯度，藉此產生阻值變化，並經由阻值變化的比對，定位出IC Hot Spot(亮點、熱點 ...

The Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH) scans an IC surface (either front or back) with a laser beam during the IC function test period. OBIRCH employs a laser beam to scan IC internal connection locations to generate a temperature gradient …

IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被局部加温的作用，在给予一个直流定电压的情况下，任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化 ...

2023年2月3日 · 光诱导电阻变化（OBIRCH，Optical Beam Induced Resistance Change），激光作用于半导体材料时，会产生两种效应，一种是热效应，另一种是光生载流子效应。如果激光波长的能量小于半导体能带，半导体仅仅发生热效应；当大于或接近半导体能带时，会产生热和光生 ...

2021年9月22日 · OBIRCH能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。 其 工作原理 是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。 OBIRCH模式具有高分辨能力，其测试精度可达nA级。 应用范 …

整設備的的好壞決定於電源雜訊大小,量測系統的好壞(抗雜訊能力) 較高阻抗的IC,適合使用定電壓源(OBIRCH) 低阻抗IC,適合使用定電流源可減少雜訊(TIVA) 接線配置[tr]TIVA, CC-BORICH, SEIOBIRCH, IROBIRCH[/tr] [img]mhtml:file://E:\Driver IC\Technique\OBIRCH.mht![/img] 79.9 79.4

2022年11月5日 · OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有效的检测短路或漏电。 OBIRCH 能分析的 Defect 种类 : …