2023年12月8日 · 最常见也最常用的dry etch设备为ICP（Inductive Coupled Plasma ：电感耦合等离子体）/CCP（Capacitive Coupled Plasma：电容耦合等离子体）两类。 在介绍ICP、CCP相关内容之前，先对耦合概念进行解释。

ICP (Inductively Coupled Plasma) 电感耦合等离子体. 和CCP不同，ICP 有一个线圈和一个电极。 交流电流流过线圈产生诱导磁场->诱导磁场产生诱导电场->电子在诱导电场中加速产生等离子 …

2022年10月18日 · 感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCou-pledPlasmaEtch,简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。 它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。 ICP等离子刻蚀机 …

ICP刻蚀设备，全称为感应耦合等离子体刻蚀机（Inductively Coupled Plasma Etcher）。 起源于20世纪初期，到20世纪90年代开始，感性耦合等离子体处理装置开始被发明使用。

The inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE) is a selective dry etching method used in fabrication technology of various semiconductor devices. The etching is used to form non-planar microstructures—trenches or mesa structures, and tilted sidewalls with a controlled angle.

ICP RIE刻蚀是一种先进的技术，旨在实现高刻蚀率、高选择性和低损伤加工。 由于等离子体可保持在低压状态，因此还能提供出色的剖面控制。 The Cobra® ICP源可产生均匀、高密度的等离子体，并能在低压下运行。

ICP RIE etching is an advanced technique designed to deliver high etch rates, high selectivity and low damage processing. Excellent profile control is also provided as the plasma can be maintained at low pressures. The Cobra® ICP sources produce a uniform, high density plasma with the capability to operate at low pressures.

The inductively coupled plasma referred to as the source power, controls the plasma density (number of ions per cc) and thus controls the ions flux (ions per sq cm per sec) bombarding the wafer.

最常见也最常用的dry etch设备为ICP（Inductive Coupled Plasma ：电感耦合等离子体）/CCP（Capacitive Coupled Plasma：电容耦合等离子体）两类。 在介绍ICP、CCP相关内容之前，先对耦合概念进行解释。

Samco’s ICP etching systems, equipped with the patented Tornado ICP™ coil, achieve plasma densities up to 1,000 times higher than conventional capacitive coupled plasma reactive ion etching (CCP-RIE) systems.