ICPPECVD是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 PECVD 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤 ...

2024年5月23日 · ICPCVD（Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition）和 PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition） 是两种用于制备氮化硅（SiNx）薄膜的常见技术。 尽管两者都是等离子体增强的化学气相沉积方法，但它们在等离子体的产生、薄膜的特性和应用等方面存在一些重要区别。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

PECVD: 不需要Etch，为减少Wall的影响，最大降低电极之间的距离. CCP的限制和需要ICP 的原因： 1. Ion 密度和 Ion Energy 不能独立控制：我们常需要增加Ion 密度来提高 Etch rate， 同时控制 Ion Energy 来减少wafer damage，但是在CCP 中. RF Power 增加 → Ion 密度增加 → Etch Rate （Good） RF Power增加→ Ion Energy 增加 → Substrate Damage 增加 (Bad) 2. 低压下不能生成Plasma （几 mTorr） : Dry Etch需要在低压下进行来获得更好的Vertical Profile.

ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均匀性。 ICPCVD 尤其适用于在形状复杂的表面沉积薄膜，以及需要高质量、低温薄膜的应用。 上述每种技术都具有独特的优势和挑战，因此适用于半导体和微电子行业的不同应用。 了解这些区别对于选择最适合特定制造需求的 CVD 方法至关重要。 低压化学气相沉积（LPCVD）是一种在亚大气 …

ICPECVD系统可以借助电感耦合射频源使含有薄膜组成原子的气体在局部形成高密度等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出所期的薄膜，具有沉积温度低、耐击穿电压高、抗腐蚀能力强、消光系数小、薄膜应力低等优点；此外，设备配置了底电极，能实现孔径＜500nm，深宽比＜2:1的孔结构的填充。 该设备用于沉积氧化硅、氮化硅、非晶硅薄膜，可应用于微/纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层等。

近日，微加工实验室引进了德国SENTECH公司生产的SI 500D型电感耦合等离子体-等离子体增强化学气相沉积（ICP-PECVD）系统，经过装机以及验收后，目前该设备已经正式投入使用。

2012年11月13日 · 等离子体增强化学气相淀积（PECVD）和电感耦合等离子体刻蚀（ICP）是 半导体制造工业中常用的薄膜淀积和干法刻蚀技术，在微电子、光电子和MEMS

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …

2015年8月1日 · ICP-PECVD films reach high mass densities and a high nitrogen content to form a barrier against (i) standard and high temperature POCl3 diffusions as well as (ii) alkaline texture wet etching for SiNx:H thicknesses of below 20 nm (i) and 70 nm (ii) on various surface topographies (textured and planar), respectively.