As the electrons approach the pinch-off point (where Qd → 0), their velocity rises tremendously (v = I/Qd). Upon passing the pinchoff point, the electrons simply shoot through the depletion …

2019年9月27日 · MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的 …

V (BR)DSS : 漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。 这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V (BR)DSS 。 它具有正温度特 …

2019年6月11日 · 在栅源短接，漏-源额定电压 (VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。 根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 关于V (BR)DSS的详细描 …

栅极泄漏电流（IGSS）：当在漏极和源极短路的情况下在栅极与源极之间施加指定电压时产生的泄漏电流

2022年5月9日 · （1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。 此参数会随结温度的上升而有所减额； …

2024年9月29日 · 本文通过麻省理工公开课，深入浅出地解析MOSFET的工作原理，包括其截止电压、饱和与未饱和状态下的特性，以及如何通过控制Vgs和Vds实现放大作用。 适合初学者和 …

雪崩参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。 EAS ：单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大 …

2025年3月1日 · 在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中， Ids 代表漏源电流（Drain-to-Source Current），而 Id 通常也指代同样的物理量，在某些文献或上下文中可能被简化表示。 …

2023年5月4日 · ID（持续漏极电流）：该参数含义是 mos 可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3以下，例：该mos管的使用持续电流应小 …