绝缘栅双极晶体管（igbt）是在金属氧化物场效应晶体管（mosfet）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电…

6 天之前 · amb 陶瓷基板则是利用含少量活性元素的金属钎焊料，将铜箔与陶瓷片间紧密焊接起来。amb钎焊料中添加的少量活性元素具有高活性，可提高钎焊料熔化后对陶瓷的润湿性，使陶瓷表面无需金属化就可与金属实现良好焊接。 其工艺流程如下图所示。 amb结构图 amb ...

amb陶瓷基板凭借优良的导热性能和抗弯强度，目前已经在工业领域大功率igbt模块封装中开始使用，例如电网领域和动车领域。 此外，以Si基为主的IGBT模块在具有高导热性、高可靠性、高功率等要求、对成本不敏感的轨道交通、工业级、车规级领域正逐渐采用AMB ...

AMB 是一种钎焊互连的方法，利用钎料中含有的 Ti、Zr、Al、Hf、Nb、Cr、Ta、V 等活性元素与陶瓷基板发生反应，形成中间连接层，从而将金属与陶瓷连接起来。 AMB 的优点是焊接工艺简单，结合强度高；缺点是活性元素容易氧化，钎料成本高，需要在高真空或惰性气氛下焊接，使得整个基板的成本提高。 AMB 和 DBC、DBA 有着各自的优缺点，DBC 基板成本低，但是可靠性差，不适合在苛刻环境下使用的 IGBT 模块；而 AMB 得到的基板虽然成本提升，但可靠性高， …

目 前 amb 陶瓷基板产量相对较少，随着新能源汽车的快速增长，驱动 igbt 及第三代半导体 sic 功率器件的快速 发展，国内外 如罗杰斯、贺利氏、富乐华、博敏电子等 amb 基板企业 已 加大 对 amb 的投入，其中 罗杰斯、贺利氏等 开始计划在华建厂。

2024年8月14日 · AMB （Active Metal Brazing，活性金属钎焊）：AMB是在DBC技术的基础上发展而来的，在 800℃左右的高温下，含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合。 与传统产品相比，AMB陶瓷基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好，极适用于连接器或对电流承载大、散热要求高的场景。 尤其是新能源汽车、轨道交通、风力发电、光伏、5G通信等对性 …

amb（活性金属钎焊）是在dbc技术基础上发展起来的一种陶瓷与金属的封接方法。 与传统的DBC基板相比，采用AMB工艺制备的陶瓷基板不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，还具有热阻更低、可靠性高等优点。

2023年3月17日 · 随着电子技术的飞速发展，AMB（Active Metal Brazed）基板作为一种高性能的电子封装材料，被广泛应用于航空航天、军事、通信、医疗等领域。AMB基板以其优异的导热性能、机械强度及可靠性

2023年3月8日 · 绝缘栅双极晶体管（igbt）是在金属氧化物场效应晶体管（mosfet）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于 ...

绝缘栅双极晶体管（IGBT）融合了绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管 (BJT)两种器件的优点，具有开关速度快、工作频率高、驱动功率小等优点。 IGBT是能源转化与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”，广泛应用于动力机车（高铁、地铁、电力牵引机车等）和电动汽车电机驱动控制、工业变频控制、交直流电转换控制等电力电子模块。 IGBT模块. IGBT目前最大的技术挑战是要以微电子的精细结构，耐受传统电力电子的功率开关与开关过程中的各种电磁 …