IGBT是什么意思？一文详细解读IGBT工作原理 - CSDN博客
2024年6月18日 · IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。 IGBT 主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。 就像我上面说的 IGBT 是 BJT 和 MOS管的融合，IGBT 的符号也代表相同。 你可以看到 输入侧代表具有栅极端子的 MOS管，输出侧代表具有集电极和发射极的 BJT。 集电极和发射极是导通端子，栅极是控制开关操作的控制端子。 IGBT 有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附 …
Insulated-gate bipolar transistor - Wikipedia
The IGBT combines an isolated-gate FET for the control input and a bipolar power transistor as a switch in a single device. The IGBT is used in medium- to high-power applications like switched-mode power supplies, traction motor control and induction heating.
科普：IGBT工作原理，主要参数，特性曲线，选型及其应用 - 知乎
IGBT， 绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的 高输入阻抗 和电力晶体管（GTR）的 低导通压降 两方面的优点。 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 （因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很 …
什么是IGBT：应用范围、应用示例、结构、工作原理以及其特点— …
2024年4月22日 · IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以目前主流的N沟道型为例展开介绍。
IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）| 電子小百科 - ROHM
IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件，採用複合式構造，除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外，也是同時具備低飽和電壓（相當於功率MOSFET的低導通電阻）、較快速切換特性的電晶體。 但是，即使切換較為快速，和功率MOSFET比較仍然相形見絀，這是IGBT的弱點。 由Metal（金屬）- Oxide（氧化物）- Semiconductor（半導體）的三層構造造成 Field-Effect Transistor（場效電晶體）結構的半導體元件。 使用雙極性（bipolar）元 …
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) The main purpose of this application report is to demonstrate a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications.
This application note is intended to provide detailed explanations about parameters and diagrams included in the datasheet of trench-gate field stop IGBTs offered in discrete packages such as: TO-247, TO-220, D2PAK, etc.
IGBT关键参数解析-CSDN博客
2024年3月16日 · IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的退饱和（De-saturation）是指当IGBT在工作时，由于电流过大或其它因素，导致它从饱和区回到线性区的过程。在饱和状态下，IGBT的集电极和发射极之间的电压非常低（接近于零），这时它充当一个开关，几乎没有电压降。
IGBT工作原理，主要参数，特性曲线，选型和应用-电子工程专辑
2023年2月7日 · IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关）） MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 （因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会 …
干货｜理解IGBT的连续集电极电流IC - 电子工程专辑 EE ...
2022年7月28日 · IGBT数据表中连续集电极电流IC，也称为直流集电极电流，先对比一下二家不同公司的额定电流相同的IGBT产品（10A/600V）的数据表，可以看到标称的连续集电极电流IC的差异。 厂家1： 厂家2： 在数据表中，25℃和100℃时，二个标称相同额定电流的IGBT，IC并不相同。 那么，IGBT的数据表中，最大的连续集电极电流IC，到底如何定义呢？ 数据表中IGBT的最大连续集电极电流标示为IC，通常这个电流是一个计算值。 当器件的封装和芯片的大小一定时， …