V CES的具体含义是“Maximum Collector-Emitter voltage with gate-emitter shorted”，即“栅极与发射极短接时，集电极与发射极间能够承受的最大电压”。 测量Vces时，G/E两极必须短路；Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何手CE间的电压不能超过这一数值，否则造成器件击穿损坏。 此外，不同制作商关于Vces参数，可能另外形式的参数如Vce， V (BR)ces 等。 Vce,Vces属于极限参数，含义一样，不同制作商称呼不同而已。 早期使用V CE比较多，现在则使用VCES …

IGBT工作于饱和状态时，集-射极之间的电压，其中VCES中，V表示电压，C、E分别表示集电极(Collector)与发射极(E.rnitter)，S 表示短路( Short)。 V CES的具体含义是“Maximum Collector-Emitter voltagewith gate-emitter shorted”，即“栅极与发射极短接时，集电极与发射极间能够承受的 ...

本文将阐述igbt 模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参 数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT 模块规格书， 为器件选型提供依据。

（1） VCES ：集电极-发射极阻断电压. 在可使用的结温范围内，IGBT关断状态下，C、E能承受的最高电压. 给出的是25℃结温条件下的VCES，随着温度的降低，该值会有所降低，datasheet中一般会给出VCES随温度变化的曲线

2023年6月28日 · ir公司在igbt基础上推出两款结合frd（快速恢复二极管）的新型器件，igbt/frd有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用to—247外型封装，额定规格为1200v、25、50、75、100a，用于电机驱动和功率转换，以igbt及frd为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现 …

2015年10月27日 · V（BR) CES中BR指的是击穿电压(Breakdown voltage)，它与VCES的区别是给出了击穿电流，指1GBT在指定集电极电 流的情况下，能够击穿IGBT的最小电压值。 V， BR) CES与V CES的数值是相同的。

ir公司在igbt基础上推出两款结合frd（快速恢复二极管）的新型器件，igbt/frd有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用to—247外型封装，额定规格为1200v、25、50、75、100a，用于电机驱动和功率转换，以igbt及frd为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更 ...

2017年6月16日 · igbt的基础知识主要包括其结构、工作原理和主要参数。igbt由一个n+型漂移区、一个p-型基区、一个n+型发射极和一个绝缘栅极构成。栅极通过氧化层与基区绝缘，使得igbt可以通过控制栅极电压来开关电流。在导通状态下，...

2015年10月30日 · V CE (sat)中的sat表示饱和（Saturation），其全称是C-E饱和压降Collector-Emitter saturation voltage，具体含义是“给定集电极电流和栅极-发射极电压条件下，集电极-发射极间的电压”（Collector-Emitter voltage at a specified collector current and Gate-Emitter voltage)，即供电电源在 IGBT上的电压降。 本文以饱和压降作为其简称。 和V CE (sat)关系紧密的相关参数有Ic和Tj技术手册中给出的都是典型值，且给出V CE (sat)的同时会给出相应的测试 …

2014年11月17日 · ˘ˇ ˆ ˙˝ ˛ ˚ˇ ˜ ! ˇ "# Fig. 7 - Typ. IGBT Output Characteristics TJ = 175°C; tp = 80 μs Fig. 8 - Typ. Diode Forward Characteristics tp = 80μs Fig. 10 - Typical VCE vs. VGE TJ = 25°C Fig. 11 - Typical VCE vs. VGE TJ = 175°C Fig. 12 - Typ. Transfer Characteristics VCE = 50V; tp = 10μs Fig. 9 - Typical VCE vs. VGE TJ = -40°C 0 2 4 6 8 10 VCE (V) 0 20 40