2019年3月14日 · This paper reviews the innovation of Applied Materials CMP in post-CMP cleaning, from Megasonic cleaning for improving particle removal efficiency, to single wafer IPA vapor dryer for achieving water-mark free drying, and to a unique chemical mechanical cleaning (PreClean) technology for fulfilling the requirement of organic residue, particle ...

2024年6月5日 · In this research, we investigate the ability of IPA to improve the surface quality of monocrystalline silicon during CMP. The dependence of IPA concentration, applied pressure, and surface morphological behavior is quantitatively measured and systematically analyzed.

摘要：化学机械抛光（CMP）技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。 抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。 介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点，指出了清洗荆、…

马兰戈尼干燥：使用马兰戈尼力（由于表面张力的梯度产生）进行的干燥技术，在这种方法中，当冲洗水槽喷出IPA和氮气的同时，将晶圆迅速拉起，并通过此时产生的马兰戈尼力去除水分，该方法减少了IPA的使用量。 罗塔戈尼干燥：在单片式旋转干燥机中高速旋转晶圆，进行干燥的同时，从喷嘴吹出纯水和IPA蒸汽，蒸汽朝着晶圆的外周方向一边吹一边进行干燥。 此时，晶圆的外周方向会产生马兰戈尼力，因此马兰戈尼力干燥会同时发生。 同时结合了自选干燥，IPA的使用 …

为消除水痕缺陷，这类设备中一般配备简易晶舟，以减少晶片与晶舟的接触面积，另外，采用温水浴、超声波震荡 IPA Bub- bler 和变速提拉等也是常用的消除水痕缺陷的手段。

IPA干燥是一种利用 IPA（异丙醇）加热汽化、蒸发及 表面张力 作用达到脱水干燥目的的技术。 在 IPA Vapor 系统是由三部分组成的，蒸汽槽、蒸汽区和冷凝槽。 蒸汽槽中的IPA在加热器的作用下形成蒸汽，蒸汽向上形成浓度、温度相对稳定的蒸汽区，最上层则是冷却水管构成的冷凝区。 晶片在干燥之前，需要浸入IPA液体中，由于互溶性，晶片表面的水会溶解到 IPA 中，取而代之的是液态的 IPA。 晶片通过链条在系统中升降，到达蒸汽区时，由于晶片温度低，蒸汽在表面凝结， …

2019年6月28日 · IPA干燥是一种利用 IPA （异丙醇）加热汽化、蒸发及表面张力作用达到脱水干燥目的的技术，其工作原理如图 3 所示。 在 IPA Vapor 系统是由三部分组成的，蒸汽槽、蒸汽区和冷凝槽。

A post-CMP cleaning process with integrated vapour drying eliminates water marks and reduces overall defects on copper/low-k patterned wafers, overcoming the limits of conventional spin rinse drying. After cleaning, water removal from wafers is traditionally done by …

2018年1月1日 · Post-CMP cleaning is required to remove particles, organic residues, and metallic contaminants from wafers with different surface, chemical, and mechanical properties in various geometric features, without generating scratches, water marks, surface roughness, corrosion, and dielectric constant shift.

To achieve a planarized wafer surface in the IC manufacturing process, the slurry1 containing nanoparticles and various additives is applied in CMP,2 resulting in plenty of contaminants3 remaining on the wafer surface. To remove these contaminants and achieve a clean surface, the post-CMP cleaning4–6 becomes indispensable.