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100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package.

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

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IRF3710PBF是一款100V单N通道高级HEXFET®功率MOSFET，它利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可用于多种应用。 立创商城IRF3710PBF型号页面提供型号详细中文资料，PDF数据手册在线查看和下载,中文参数，引脚图，代替型号和在线购买等信息。 买IRF3710PBF型号,上立创商城.

This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

IRF3710PBF Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC 資料表、庫存和定價。

IRF3710的HEXFET功率 场效应管 采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通 阻抗。 IRF3710这种特性，加上快速的 转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3710成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 TO-220封装的IRF3710普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和 低成本 的TO-220封装，使IRF3710得到业内的普遍认可。 D2Pak封装的IRF3710适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。 TO-262 …

irf3710 lpbf 数据手册 Infineon（英飞凌） N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。

1997年7月15日 · IRF3710 PRELIMINARY HEXFET® Power MOSFET PD 9.1309B Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the ...