2019年2月7日 · Default PWM frequencies (~500hz or 1khz) are high enough for a LED strip, unless you want to do something weird. A higher frequency results in higher switching losses (hotter fet), and maybe poor low level dimming. The IRF640 is not suitable for low voltage (high Rds (on)) or 5volt logic (high Vgs (th)). Use a logic level fet with low Rds (on).

2018年8月14日 · Along with greeting, I am designing and manufacturing a small PWM actuator based on an MCT2E optocoupler and IRF640 MOSFET. Initially the design was like this (generic image): The load is a 100 VDC motor and R2 originally was 330 ohm. The system controlled the speed consuming only 500mA max, but the MOSFET was heated intensely, burning in a minute.

2017年3月3日 · By using a PWM frequency of 62.5kHz, you are causing it to spend more time in the high dissipation state, hence it gets hot. You can get around this by making the MOSFET switch faster, by using a MOSFET driver such as the TC4420. - datasheet here.

2017年4月28日 · 1.SG3525产生的PWM频率与最后IRF640出来的频率相同吗？ （我的理解是，PWM只是控制MOS的开关，所以最后需要的交流电频率与SG3525产生的频率是相同的，不知道对不对）

2016年11月2日 · Try a logic gate MOSFET like IR L 640. Its minimum gate-to-source voltage is about 2 Volts which is quite suitable to drive from a MCU. Another solution would be a P-Ch MOSFET with an NPN inverter: simulate this circuit – Schematic created using CircuitLab.

Description: Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on)=0.18ohm, Id=18A). Manufacturer: International Rectifier.

2016年3月1日 · I connected the IRF 640 as I was shown in the previous forum (subsystem diagram attached) however the filament light has a small dimming range, from 6.34V to 6.74V to be exact.

IRF640由Slkor (萨科微)设计生产，立创商城现货销售。 IRF640价格参考￥2.08。 Slkor (萨科微) IRF640参数名称：类型：1个N沟道；漏源电压 (Vdss)：200V；连续漏极电流 (Id)：18A；耗散功率 (Pd)：150W；工作温度：-55℃~+175℃。

IRF640N 系列是第五代 HEXFET 功率 MOSFET，由 International Rectifier 制造。 该系列利用先进的处理技术实现了极低的单位硅面积导通电阻。 结合快速开关速度和坚固的设计，HEXFET 功率 MOSFET 为多种应用提供了高效且可靠的解决方案。 先进的工艺技术：通过优化硅材料与工艺技术显著降低了导通损耗。 动态 dv/dt 评级：能够承受快速变化的电压。 高温操作：可在高达 175°C 的温度下工作。 快速开关：具有非常快的开关速度。 完全雪崩额定值：具备良好的抗雪 …

GOODWORK (固得沃克) IRF640参数名称：类型：1个N沟道；漏源电压 (Vdss)：200V；连续漏极电流 (Id)：18A；导通电阻 (RDS (on))：125mΩ@10V,11A；耗散功率 (Pd)：2W；阈值电压 (Vgs (th))：4V@250uA；输入电容 (Ciss@Vds)：1.3nF@25V；反向传输电容 (Crss)：120pF@25V；工作温度：-55℃~+150℃@ (Tj)。