IRF840. Power MOSFET. General Information: General Information. Useful Web Links. Markings: Part Marking Information. TO-220, I2PAK (TO-262), D2PAK (TO-263) (High Voltage) Packaging Information: Package Information. TO-220AB (High Voltage) Reliability Data: …

irf840由blue rocket(蓝箭)设计生产，立创商城现货销售。 IRF840价格参考￥1.2306。 BLUE ROCKET(蓝箭) IRF840参数名称：类型：1个N沟道；漏源电压(Vdss)：500V；连续漏极电流(Id)：8A；导通电阻(RDS(on))：700mΩ@10V,4A；阈值电压(Vgs(th))：2V；输入电容(Ciss@Vds)：2.04nF@25V；反向传输 ...

IRF840 Product details 500 Volt, 0.85 Ohm HEXFET TO-220AB Plastic Package The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advance line of power MOSFET transistors.

IRF840是N沟道功率MOSFET，其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载，并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。由于mosfet用于切换高电流高压负载，因此它具有相对较高的栅极电压，因此不能直接与CPU的I/O引脚一起使用。

IRF840 SiHF840 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 V Continuous Drain Current VGS at 10 V TC = 25 °C ID 8.0 TC = 100 °C 5.1 A Pulsed Drain Current a IDM 32 Linear Derating Factor 1.0 W/°C Single Pulse Avalanche Energy b EAS 510 mJ

Part #: IRF840. Download. File Size: 146Kbytes. Page: 2 Pages. Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR. Manufacturer: Motorola, Inc.

2024年4月7日 · 其中，irf840是一款常用的n沟道mosfet场效应管。 它具有优秀的导电性能和可靠性，因此被广泛应用于功率放大和开关电路等领域。 本文将详细解释IRF840场效应管的参数、功能及引脚图，帮助读者更好地了解和应用这一器件。

IRF840由OSEN(欧芯)设计生产，立创商城现货销售。IRF840价格参考￥0.8944。OSEN(欧芯) IRF840参数名称：漏源电压(Vdss)：500V；耗散功率(Pd)：134W；阈值电压(Vgs(th))：4V；反向传输电容(Crss)：20pF@25V。

IRF840是N沟道功率MOSFET，其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载，并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。由于mosfet用于切换高电流高压负载，因此它具有相对较高的栅极电压，因此不能直接与CPU的I/O引脚一起使用。

IRF840 www.vishay.com Vishay Siliconix S21-0883-Rev. E, 30-Aug-2021 4 Document Number: 91070 For technical questions, contact: [email protected] THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.