IDSS (referred to as the drain current for zero bias) is the maximum current that flows through a FET transistor, which is when the gate voltage, VG, supplied to the FET is 0V. When the gate …

idss：零栅压漏极电流. idss是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大，idss在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以 …

mosfet的电气特性（静态特性i gss ／i dss ／v (br)dss ／v (br)dxs ）

2008年2月1日 · These are leakage currents that flow between the respective pins when the gate of the MOSFET is in an off state. I DSS is a drain-source leakage current. It is the leakage …

IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。 即，刚刚我们描述的在MOSFET在完全“打开”的状态，栅极（G极）和源极的压差为0的时候，此时有漏电流通 …

IDSS：漏极与源极之间的漏电流。 VGS= 0时，D与S之间加VDSS。 IGSS：栅极与源极之间的漏电流。 VDS=0时，G与S之间加VGSS。 MOSFET具有负的温度特性，而且变化率比双极型晶 …

MOSFET的IDSS（Drain-Source Leakage Current，漏源漏电流）是指在栅极与源极短接（ =0V ），且器件处于关闭状态时，从漏极到源极之间的微小电流。 理论上，在理想条件下，当没 …

2024年1月26日 · IDSS (Drain-Source Current with Zero Gate Voltage) is a key parameter for FETs, especially for JFETs (Junction Field-Effect Transistors). Testing IDSS involves …

ゲート漏れ電流（igss）、ドレイン遮断電流（idss）、ドレイン・ソース間降伏電圧（v(br)dss/v(br)dxs）の定義と簡単な測定法とデータシート記載例を説明します。

2016年3月22日 · A FET with given RDSON will generally have higher IDSS for a higher BVDSS device (mostly because it will be a larger device with lighter doped junctions). IDSS also …