We present a four-stage, 185-GHz indium phosphide (InP) high electron mobility transistor (HEMT) low-noise amplifier (LNA) implemented with coplanar waveguide (CPW) inductive degeneration and designed with a procedure using noise measure.

2021年11月11日 · 磷化铟(InP) 高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料; InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs

The reported power amplifier delivers up to 185 mW and has a peak PAE of 38% at 44 GHz. The results in this work highlight the relevance of 250 nm InP HBT devices for emerging size-constrained platforms including MIMO communication front-ends and radar applications.

2024年3月15日 · 纳米光子IMOS（InP硅基膜）技术节点可实现更高密度的光子集成。这是通过使用基于InP的薄膜来实现的，其中可以实现主动和被动功能（Van der Tol等人，2018）。

Abstract— We report a 250nm InP HBT MMIC that demonstrates record output power at 44 GHz for its chip size, having a small signal bandwidth of 25 – 50 GHz, and operating from a 2.5-2.8 V supply. The reported power amplifier delivers up to 185 …

2015年10月1日 · InP based double hetero-junction bipolar transistors (DHBTs) feature outstanding current gain cut off and maximum oscillation frequencies while maintaining breakdown at several volts.

2019年6月2日 · The reported power amplifier delivers up to 185 mW and has a peak PAE of 38% at 44 GHz. The results in this work highlight the relevance of 250nm InP HBT devices for emerging size-constrained platforms including MIMO …

Tao, Jonathan, et al. “A 185-GHz Low-Noise Amplifier Using a 35-nm InP HEMT Process.” IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, vol. 34, no. 5, May. 2024, pp. 501-503. https://ieeexplore.ieee.org/document/10410426/.

InP激光器 为世界各地的光通信系统产生光，从光纤连接和网络到自由空间光通信。流媒体公司、移动通信运营商和智能手机制造商都欠InP一个人情。 近年来，InP已经开始承担更多的责任，不仅仅是产生光。

2011年6月23日 · 保护下升温至685℃，生长InP 外延层， 输入V／Ⅲ比为185. 在此基础上，采用辅助手段进一步提高GaAs 衬. 底上InP 外延层的晶体质量，以获得用于生长高性能. InP 基光电子器件的“虚拟”InP 衬底. 首先，适当地增. 加InP 外延层厚度以降低晶片表面的位错密度. 在超