The IR2113 is a 600 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown (14 Lead PDIP package)

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output chan-nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable 16-Lead SOIC. ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with IR2110/IR2113 standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

IR2113PBF由Infineon (英飞凌)设计生产，立创商城现货销售。 IR2113PBF价格参考￥15.75。 Infineon (英飞凌) IR2113PBF参数名称：驱动配置：半桥；负载类型：IGBT；MOSFET；驱动通道数：2；灌电流 (IOL)：2A；拉电流 (IOH)：2A；工作电压：10V~20V；上升时间 (tr)：110ns；下降时间：25ns；工作温度：-40℃~+150℃@ (Tj)。 下载IR2113PBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有栅极驱动芯片详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2019年5月8日 · ir2110 / ir2113是高压，高速功率mosfet和igbt驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达500或600伏。

IR2113STRPBF – Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC from Infineon Technologies. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.

2024年12月18日 · IR2110 /IR2113 是一款功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有不同的高侧和低侧参考输出通道。 由于采用专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS 技术，坚固的单片架构成为可能。 低至 3.3V 逻辑，逻辑输入与典型的 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。 输出驱动器中使用高脉冲电流缓冲级来减少驱动器交叉传导。 传输延迟匹配，使高频应用更容易使用。 浮动通道可用于驱动电压范围为 500 至 600 伏的高侧 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。 • 不受 dV/dt 瞬时电压变化的影响. • …

ir2113 spbf 数据手册 Infineon（英飞凌） INFINEON IR2113SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

ir2110和ir2113作为高效率、高可靠性的驱动器解决方案，适合用于需要在高电压和快速切换的电路中控制mosfet和igbt的系统设计，其先进的技术和丰富的保护功能使其在工业自动化、电机控制和电力电子应用中占据一席之地。

元器件型号为IR2113的类别属于模拟混合信号IC驱动程序和接口，它的生产商为International Rectifier （ Infineon ）。厂商的官网为：.....点击查看更多