The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output chan-nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable 16-Lead SOIC. ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with IR2110/IR2113 standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.

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The IR2110 is a 500 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown (14 Lead PDIP package)

2018年9月26日 · ir2110采用先进的自举电路和电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，使得每对mosfet（上下管）可以共用一片ir2110，并且所有的ir2110可共用一路独立电源。

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.

2019年5月8日 · IR2110 / IR2113是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达500或600伏。 根据上面参数可知，IR2110驱动的功率开关管最高可以工作在500V电压下，IR2113驱动的功率开关管最高可以工作在600V电压下。 该器件专门用于驱动类似于半桥结构的自举驱动；驱动输出电压范围为10 …

2024年10月29日 · IR2110是一款广泛应用于PWM（脉宽调制）电路中的驱动芯片，具有高可靠性和稳定性，适用于各种电力电子设备 ..._ir2110

2024年12月18日 · IR2110 /IR2113 是一款功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有不同的高侧和低侧参考输出通道。 由于采用专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS 技术，坚固的单片架构成为可能。 低至 3.3V 逻辑，逻辑输入与典型的 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。 输出驱动器中使用高脉冲电流缓冲级来减少驱动器交叉传导。 传输延迟匹配，使高频应用更容易使用。 浮动通道可用于驱动电压范围为 500 至 600 伏的高侧 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。 • 不受 dV/dt 瞬时电压变化的影响. • …

EiceDRIVER™ 500 V high and low-side gate driver IC with typical 2.5 A source and 2.5 A sink current in 16 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs with level-shift technology. Also …

How to use IR2110 MOSFET/IGBT driver as high side and low side driver? With details on pinout diagram, examples, applications and download datasheet