IRF6215. Overview-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package. Summary of Features. Planar cell structure for wide SOA; Optimized for broadest availability from distribution partners; Product qualification according to JEDEC standard; Silicon optimized for applications switching below <100kHz;

IRF6215 HEXFET® Power MOSFET PD - 91479B Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

IRF6215 Product details Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

IR MOSFET™ P-channel ; D2PAK TO-263 package; 290 mOhm;

来自 Infineon Technologies 的 IRF6215STRLPBF – 表面贴装型 P 通道 150 V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。 DigiKey 提供数以百万计电子元器件的定价和供应信息。

P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家 …

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