
IRFR9024N - Infineon Technologies
-55V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package.
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适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。 IRFR9024N-JSM由JSMSEMI (杰盛微)设计生产,立创商城现货销售。 IRFR9024N-JSM价格参考¥0.6726。 JSMSEMI (杰盛微) IRFR9024N-JSM参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压 (Vdss):60V;连续漏极电流 (Id):15A;导通电阻 (RDS (on)):90mΩ@10V,12A;耗散功率 (Pd):36W;栅极电荷量 (Qg):[email protected];输入电容 …
IRFR9024N Datasheet (PDF) - International Rectifier
Part #: IRFR9024N. Download. File Size: 117Kbytes. Page: 10 Pages. Description: Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A). Manufacturer: International Rectifier.
10 www.irf.com Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.12/04 %! & !!# ˙˛˚ ˜ ˘ˆ˚˙
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Specifically designed for Automotive applications, this Cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
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l Surface Mount (IRFR9024N) l Straight Lead (IRFU9024N) l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -11 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -8 A IDM Pulsed Drain Current † -44 PD @TC = 25°C Power Dissipation 38 W
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摘要:针对弹药爆炸现场爆压测量难的问题,采用 LabVIEW 为工具设计了一套无线自动测控系统,主要由传感器网络节点、无线中继站AP和上位机三部分组成。 测控系统以LabVIEW为主控软件,利用图形化编程语言和模块化设计实现了对无线传感器网络节点的控制、实验数据的读取、存储和分析。 通过系统验证和测试表明,该系统具有数据采集、无线传输和远程控制的能力,完全能够胜任恶劣环境下爆炸现场爆压测量的重任。 ... [详细] 据中国电子元件协会近日最新市场报告 …
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