
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case. Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth.
IRLB3034 - Infineon Technologies
40V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package. The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
IRLB3034PBF Datasheet (PDF) - International Rectifier
Description: HEXFET Power MOSFET. Manufacturer: International Rectifier.
IRLB3034 (UMW)_UMW (友台半导体)_IRLB3034 (UMW)中文资 …
下载IRLB3034 (UMW)中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有场效应管 (MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLB3034PBF Infineon Technologies | Discrete Semiconductor …
IRLB3034PBF – N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB from Infineon Technologies. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
IRLB3034 UMW | Discrete Semiconductor Products | DigiKey
IRLB3034 – N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB from UMW. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
IRLB3034PBF Infineon Technologies | 分立半导体产品 | DigiKey
来自 Infineon Technologies 的 IRLB3034PBF – 通孔 N 通道 40 V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。 DigiKey 提供数以百万计电子元器件的定价和供应信息。
IRLB3034PBF引脚图及功能_参数_MOS管芯片中文资料_Infineon
IRLB3034PBF Infineon MOS管芯片中文资料PDF, 共(8)页, IRLB3034PBF数据手册有芯片封装TO-220-3引脚图及功能定义和参数资料, INFINEON IRLB3034PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.5 V。
IRLB3034参数_晶体管元件查询_电子爱好者
类型: N沟道场效应管. 漏极和源极电压(V DSS): 40 V. 漏极和源极通态电阻(R DS (on)): 0.0017 Ω. 封装: TO-220AB.
IRLB3034PBF 英飞凌 infineon_irlb3034场效应管参数-CSDN博客
2023年5月23日 · IRLB3034PBF是一款N沟道 MOSFET 晶体管,其详细参数如下: IRLB3034PBF具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优点,适用于高效率 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源开关等领域。 文章浏览阅读565次。 IRLB3034PBF 英飞凌 infineon_irlb3034场 …