1.结型场效应管的概述（jfet）：结型场效应管基本结构（jfet）： 这里提示一下n沟道和p沟道的图像画法（不要搞混了） 2.结型场效应管的工作原理（以n沟道为例）（jfet）： 注意这里ugs是反向电压，所以小于0，up是…

2017年8月28日 · 场效应管分结型（jfet）、绝缘栅型(mosfet)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分n沟道和p沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 结型场效应管（jfet）

The UJ4N075004L8S is a 750 V, 4.3 mohm high-performance Gen 4 normally-on SiC JFET transistor. This device exhibits ultra-low on resistance (RDS(on)) in a compact TOLL package, making it an ideal fit to address the challenging thermal and space constraints of solid-state circuit breakers and relay applications.

SiC JFETs and Combo JFETs in semiconductor-based circuit protection and relays. onsemi offer discrete SiC JFETs and Combo JFETs, which contain the same SiC JFET and a low-voltage silicon MOSFET connected in series and with each gate accessible at a package pin.

结型场效应管 （英語： junction gate field-effect transistor，縮寫： JFET），是单极 场效应管 中最简单的一种。 它可以分 n 沟道（n-channel）或者 p 沟道（p-channel）两种。 在下面的论述中主要以 n 沟道结型场效应管为例，在 p 沟道结型场效应管中 n 区和 p 区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。 n 通道结型场效应管由一个被一个 p 型 掺杂 （阻碍层）环绕的 n 型掺杂组成。 在 n 型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语 Drain，因此也称 D 极）和源极（来自英语 …

2024年6月12日 · Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。 该产品专为包括固态断路器在内的 ...

中国 北京，2024 年 6 月 12 日——全球领先的连接和 电源 解决方案供应商 Qorvo ®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应 晶体管 （JFET）——UJ4N075004L8S。 该 产品 专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低 电阻 、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。 UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS (on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 …

2024年4月10日 · jfet通过控制沟道区域的宽度来调节电流，从而实现电流放大或开关功能。本文对jfet的工作原理，结构特点，工艺流程，选型参数及设计注意事项进行总结。

典型的jfet输出特性曲线，分为三个区，恒流区占据主要区域 再补充一点，从欧姆定律的角度看，电流随电压刚性增加，关键是阻值不变。 而「夹紧区」恰恰就是个大电阻，并且是可变的，阻值随漏压同步增加，所以能恒流。

jfet 是模拟电子设备中精密电平电压操作控制的重要组件。我们可以将jfet用作压控电阻或开关，甚至可以使用jfet制作放大器。它也是替代 bjt 的节能版本。jfet 提供低功耗和相当低的功耗，从而提高了电路的整体效率。