What is, IDSS, of a FET Transistor? - Learning about Electronics
When the gate voltage decreases for N-Channel FETs, or increases for P-Channel FETs, the drain current I D becomes smaller and smaller, until after a certain threshold, the transistor shuts off. The current, I DSS, is important because it's the maximum current that a FET can reach without entering the restricted breakdown region.
科科模电日记（2）—JFET、MOSFET工作原理 - 知乎
在JFET和MOSFET中，为了加深印象，我理解为Vgs就是小区水泵总闸，Vds就是家里的水龙头阀门，水泵总闸决定可供小区使用的用水总量档位，0吨档，100吨档，1000吨档等，不同档位提供的水压不同，0吨档就是没有水，档位越大，水压越大，家里水龙头单位时间内流水 ...
JFET结型场效应管的总结 - CSDN博客
2022年1月13日 · 结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一种三端半导体器件，与金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）相似，但其工作原理和结构略有不同。JFET通过控制沟道区域的宽度来调节电流
jFET Transistors : Getting to know Vgs(off) and Idss
2020年10月14日 · Idss is defined inside the Id(Vds) set of transfer curves, where Vgs is stepped in discrete/fixed values and Vds is continuous. Here, Vgs is stepped in two values, 0v and Vgs(off) – with the first being referred to as the diode (dual electrode) or “current-source” curve, and the second representing the onset of complete cut-off (ie., Id=0 ...
Idss is the maximum drain current observed when the gate voltage is zero with respect to the source. A positive voltage on the gate with respect to the source does little, for the diode action clamps the gate at 0.7 volts above the source. The pinchoff voltage is about -3.3 volts for the J310 used in this example.
结型场效应管（JFET）的主要参数 - 维库电子市场网
2010年6月10日 · 当vDS为某一固定值 (例如10V)，使iD等于某一微小电流 (例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 （2）. 饱和漏极电流IDSS. 在vGS=0的条件下， 场效应管 发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。 （3）. 直流输入电阻RGS. 它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 （4）. 低频跨导gm. 当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即. gm反映 …
如果当年这样讲MOSFET，模电不逃课（一） - 知乎专栏
IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。 即，刚刚我们描述的在MOSFET在完全“打开”的状态，栅极（G极）和源极的压差为0的时候，此时有漏电流通过MOSFET。 也就是说MOSFET在截止的时候，没那么理想，会“漏电”。 既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。 漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。 特别是对于 大功率开关电源，这点功耗在总功耗中的 …
MOS IDSS测试方法 - CSDN文库
2024年2月10日 · MOS IDSS测试方法是一种测试场效应管（JFET）的方法，它可以确定JFET的静态特性。 以下是MOS IDSS测试方法的步骤： 准备测试电路：将JFET连接到测试电路中，包括电源、电压源和电流表等。 设置电路参数：根据JFET的规格书，设置测试电路的参数，例如电源电压和电流范围等。 测量IDSS：将电压源的输出电压逐渐增加并记录电流表的读数，直到JFET达到饱和状态为止。 在饱和状态下，测量到的电流即为IDSS。 计算IDSS：将测量到的IDSS除 …
FET晶体管详解-CSDN博客
2022年6月26日 · JFET的恒流源比三极管恒流源更简单，只需将G,S极短路连接，流过漏源之间的电流永远为漏极饱和电流。同样，JFET的Idss也可以用来限制电流，若JFET未损坏，则能流过JFET的最大电流就是漏极饱和电流Idss。
HIFIDIY论坛-差分输入级场效应管的IDSS大一些有什么好处？
2023年10月13日 · IDSS是将JFET管的栅源短接后，流过该器件D和S之间的最大电流值（范围值）， 可以认为实际应用中这个值与器件的最大耗散相关。 在多级放大电路中，每一级对IDSS的选择范围都不一样， 输入级、电压放大级、电流驱动级 应该选择不同IDSS值的器件。 但它不应该作为选管的主要因素. IDSS是将JFET管的栅源短接后，流过该器件D和S之间的最大电流值（范围值）， 可以认为实际应用中这个值与器件的最大耗散相关。 在多级放大电路中，每一级对IDSS的 …