
K10A60W Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
Part #: K10A60W. Download. File Size: 246Kbytes. Page: 10 Pages. Description: MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??. Manufacturer: Toshiba Semiconductor.
K10A60W Datasheet PDF - 600V, 9.7A, N-Ch, MOSFET
2022年7月13日 · Part Number: K10A60W, TK10A60W. Function: 600V, 9.7A, N-Channel MOSFET. Package: TO-220 Type, SC-67 Type. Manufacturer: Toshiba. Image
K10A60W Datasheet (PDF) Download - Toshiba Semiconductor
Download K10A60W Datasheet. File Size: 246.69 Kbytes. Part #: K10A60W. Description: MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??. Manufacturer: Toshiba Semiconductor.
K10A60W Datasheet, MOSFET, Toshiba Semiconductor
K10A60W Features and benefits (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) …
K10A60W datasheet, mosfet equivalent, Toshiba Semiconductor
K10A60W mosfet equivalent. silicon n-channel mosfet. Preview is limited to up to three pages.
K10A60W Datasheet, PDF - Alldatasheet
Part #: K10A60W. Datasheet: 246Kb/10P. Manufacturer: Toshiba Semiconductor. Description: MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??. 1 Results.
TK10A60W | 东芝半导体&存储产品中国官网
该参考设计提供基于OrCAD ® 的仿真电路、仿真结果和设计指南。 用于设计AC-DC电源的半桥(HB)拓扑。 在设计无绳电动工具时,低功耗和小型化等非常重要。 东芝提供适用于电机驱 …
K10A60W参数_晶体管元件查询_电子爱好者 - dianziaihaozhe.com
类型: N沟道场效应管. 耗散功率(PD): 30 W. 漏极电流(ID): 9.7 A. 漏极和源极电压(V DSS): 600 V. 漏极和源极通态电阻(R DS (on)): 0.38 Ω. 封装: TO-220SIS.
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K10A60W. 文件大小: 246.69 Kbytes. 页面数量: 10 页. 功能描述: MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? 数据手册: 下载地址一 下载地址二 到原厂下载. 生产厂商: Toshiba …
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