2024年5月9日 · 本文以TI和MPS的DrMOS为例，结合切片实物图介绍这两种类型DMOS的结构。 TI：其DrMOS由1个驱动IC和2个分立的上下管MOS组成，上下管为采用 NexFET技术 的VDMOS。 NexFET技术的VDMOS结构示意图和切片SEM实物图： MPS：驱动IC和上下管集成在1个die上，上下管为LDMOS，结构示意图如下图所示。 LDMOS结构示意图和切片SEM实物图： 你还想看哪一家的DrMOS切片图呢？ 来源于Failure Analysis Observation，作者Root Cause. …

We present state-of-the-art RF performance of the LDMOS transistor measured with a load-pull test setup, achieving class-AB drain eficiencies of 70 % at 2 GHz for on-wafer and packaged devices. Furthermore, the results for several class-AB and Doherty amplifier implementations constructed with this technology are shown.

超结（Superjunction），又称电荷平衡（Charge Balancing） 、电荷耦合（Charge couple）、电荷补偿（Charge Compensation）。 因在 DMOS 中超结结构应用较多，如下以超结DMOS为例展开阐述。 当采用常规结构时，理想漂移区特征电阻Ron-ideal用下式表示，与击穿电压的平方呈正比。 其中BV为击穿电压、εS为介电常数、μn为迁移率，EC临界击穿场强。 当采用超结结构时，理想漂移区特征电阻RD，sp用下式表示，与击穿电压呈正比。 其中p为超结单元尺寸，N/P …

2017年12月8日 · 凌驾于所有 RF 功率技术，侧面扩散 MOS （LDMOS， Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor） 晶体管技术为新一代基站 放大器 带来较高的功率峰均比 （PAR， Peak-to-Aerage）、更高增益与线性度，同时为多媒体服务带来更高的数据传输率。 此外，卓越的效能也随着效率以及功率密度持续不断地提升。 过去四年来，飞利浦第二代 0.8 微米 LDMOS 技术在 GSM、EDGE 与 CDMA 系统上拥有耀眼的效能与稳定的批量生产能力，现阶段为了满足多载 …

2011年11月5日 · Through the late 1970s, silicon bipolar transistors were the preferred RF power device technology [1–2]. The relatively low frequencies and amplifier requirements of the era were compatible with silicon bipolar transistor technology, which was capable of providing a robust, cost-effective solution.

DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。 LDMOS LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图

RF laterally diffused MOS (LDMOS) is currently the dominant device technology used in high-power RF power amplifier (PA) applications for frequencies ranging from 1 MHz to greater than 3.5 GHz. Beginning in the early 1990s, LDMOS has gained wide acceptance for cellular infrastructure PA applications, and now is

2024年1月9日 · LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型 ...

SEM cross-section of state of the art LDMOST. The paper presents the evolution in LDMOST technology of the last decade, leading to a present 32 percent efficiency value for a two carrier W-CDMA...

2023年6月7日 · LDMOS 代表“Lateral Dou ble -diffused MOSFET （侧向双扩散MOSFET）”。 它是一种高电压 功率MOSFET 器件，广泛应用于 无线通信 、广播电视、 雷达 、医疗和工业等领域。 LDMOS具有低失真、高效率、高输出功率、高可靠性和低成本等优点，因此在 功率放大器 的设计中得到了广泛的应用。 1. LDMOS是什么？ LDMOS是一种特殊类型的MOSFET 晶体管，其结构与普通MOSFET晶体管略有不同。 普通MOSFET晶体管采用垂直结构，而LDMOS采用侧向结 …