低真空化學氣相沉積（lpcvd）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。 表面的反應是形成固化材料的原因。 低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。

1.需已擁有 Wet Bench 使用權限才可申使用LPCVD系統。 (1). 白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00) (3). 注意事項 (務必詳讀，以免損失自身權益) (4). LPCVD 儀器 操作規範 & 考核記錄表. 3. 儀器開放等級及人數。 (2). 奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約) 委託操作儀器: 1.有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 預約並取得預約編號，再下載 LPCVD委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F) …

低压化学气相沉积，英文全称：Low Pressure Chemical Vapor Deposition，简称：LPCVD。 常用于半导体制造、光电子、薄膜太阳能电池等领域的材料沉积技术。 其主要原理是利用低压环境下，气体源在基片表面反应，沉积出所需的薄膜材料。 LPCVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。 同时，LPCVD也是将气体在反应器内的压力降低到大约133Pa进行沉积的反应。 我们知道，在常压下，气体分子运动速率 …

重要規格： (1) 腔體（chamber)：6"，均溫區長度600mm. (2) 真空：5*10-3 Torr.

重要規格： (1) 腔體（chamber)：6"，均溫區長度600mm. (2) 真空：5*10-3 Torr.

此大批量、擴散、lpcvd、直立式爐管可執行4到8英寸晶圓超高溫處理。 此系統可彈性配置，使您的生產線能處理多種產品。 此爐擅長功率裝置製造。

說明: a.爐管為前段製程，極要求潔淨度，因此禁入lpcvd之材料， 含 光阻、金屬、玻璃、不明物、磁性材料(鐵、鈷、鎳)。 如使用三、五族材料則前往R121實驗室內LPCVD使用，只提供

LPCVD法均适用于氧化层SiO2、本征非晶硅层的制备，且两者反应温度相近，均在600℃左右。 以LPCVD法制备氧化层SiO2，以及本征非晶硅层a-Si工艺为例，实践中仅需要在两者反应中间，加入N2清洗、捡漏、抽真空等操作，即可在同一工步完成SiO2/本征非晶硅膜的制备。 图4 LPCVD法可实现制备氧化层、本征对晶硅层“二合一” 图5 LPCVD设备示意图. LPCVD沉积膜不具备方向性，因电池片立于石英舟之上，氧化层及本征多晶硅层也同样会附着在电池片的侧面及正面，形 …

2025年1月8日 · 一图读懂：lpcvd、pecvd、pvd的原理、优劣、良率与厂商 光伏学习 2025年1月8日 摘要: 尽管LPCVD具备原位掺杂的能力，但受制于LPCVD原位掺杂镀膜均匀性较差，实际仍以i-Poly+磷扩为主，前期因为绕度的顾虑，以单槽单插为主，成本降低的促进下，新上的LPCVD路线 …

奈米機電系統研究中心 lpcvd 低壓化學氣相沉積系統 - 卓越