2020年8月25日 · CoWoS-L is the new variant of TSMC’s chip-last packaging technology which adds in the Local Si Interconnect which is used in combination of a copper RDL to achieve higher bandwidth than just...

•Leverage InFO and CoWoS to integrate Si bridge, passives and RDL to best optimize CT, yield learning, system performance and EoS, etc. • TSV in LSI (Local Si Interconnect), active & passive chip integration

2024年10月27日 · CoWoS-L 的interposer 层包括多个本地硅互连 (LSI) 芯片和全局再分布层 (RDL)，形成一个重组interposer 层 (RI)，以取代 CoWoS-S 中的单片硅interposer 层。 LSI chiplet 继承了硅interposer 的所有诱人特性，保留了亚微米级铜互连、硅通孔 (TSV) 和嵌入式深沟电容器 (eDTC)，以确保良好的系统性能，同时避免了与一个大型硅interposer 相关的问题，如良率损失。 此外，在 RI 中还引入了穿绝缘体通孔 (TIV) 作为垂直互连，以提供比 TSV 更低的插入损耗路 …

2025年1月21日 · CoWoS 可细分为 S、R、L 三 类条线，分别为硅中介层（Si Interposer）、重布线层（RDL）与局部硅互联技术（LSI）。 CoWoS-R 采用 InFO 技术并应用 RDL 中介层，以 提供芯片间的互连服务 S，重点应用于 HBM（高带宽内存）和 SoC 异构集 成中。

2021年12月27日 · 第三個是「CoWoS_L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）」，它使用小晶片（chiplet）和RDL作為中介層。 請注意，「本地矽互連」通常被台積電縮寫為「LSI」。 「CoWoS_S」（傳統的「CoWoS」）的橫截面結構示例。 是所謂2.5D封裝的代表。 通過在作為中介層的矽基板上形成高密度布線和矽通孔（TSV），可以在矽晶片之間緊密放置並傳輸高速信號. 繼續擴大中介層面積、電晶體數量和內存容量. 「CoWoS_S」（原「CoWoS」）於2011 …

2024年10月28日 · CoWoS-L 的interposer 層包括多個本地硅互連 (LSI) 晶片和全域再分佈層 (RDL)，形成一個重組interposer 層 (RI)，以取代 CoWoS-S 中的單片硅interposer 層。

通过使铜 (Cu) 布线比以前更厚，Si 中介层的重新布线层 (RDL) 将薄层电阻降低到不到一半。 用 5 层铜线连接硅芯片。 台积电还重新设计了 TSV，以减少由于硅穿透孔 (TSV) 引起的高频损耗。

2024年6月4日 · CoWoS-L (Local Silicon Interconnect and RDL Interposer): 结合局部硅互连和RDL中介层，利用两者的优点以实现更高效的封装和连接。 这种结构适合复杂的系统集成，能够在单一封装中实现更复杂的 电路设计 。

2024年5月23日 · 有两种不同类型的lsi芯片。lsi-1由双重镀铜（双大马士革工艺）互联构成，lsi-2由cu rdl构成。二者区别在于电气性能和最小线宽，lsi-1的线宽/线距以及在高频下的插损更低。 4.

为了满足 HPC 应用的需求，台积公司开发了超高频宽整合型扇出暨局部 硅 互连技术(InFO Local Silicon Interconnect, InFO_LSI)，其中系统单芯片小芯片（Chiplet）藉由超高密度局部硅互连（LSI）整合到三维InFO 封装 中。