2025年2月22日 · LDE, Layout Dependent Effect 就是“版图相关效应”或“布局依赖效应”，指的是在集成电路等电子电路设计及制造领域，电路的性能、制造良率以及电磁兼容性等方面会受到电路版图布局情况影响的一系列效应。

2018年9月22日 · 给大家分享几篇关于LDE效应的文章，分析的到位，对以后进行电路设计或者版图设计很有帮助！ sub-40nm LDE(Layout Dependent effect)效应分析 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

2024年12月26日 · Layout Dependent Effect（LDE）是集成电路（IC）设计中的一种复杂现象，它指制造工艺中的物理和化学过程对集成电路性能的影响。本文详细探讨了LDE的基础知识和理论，包括其定义、产生原理以及在不同制造工艺下的...

2024年12月26日 · LOD效应，也称作STI应力效应，是指在有源区（如晶体管区域）外围的浅槽隔离（STI）对晶体管产生应力作用，进而影响晶体管的阈值电压。 这种效应通常通过多晶硅栅到有源区边界的距离来表征。 STI隔离带来的应力会因为其位置的不同而对晶体管产生不同程度的影响。 WPE效应指由于阱离子注入过程中的光刻胶溅射现象，导致阱边缘的掺杂浓度非均一性。 这种非均一性表现为与阱边缘的距离不同，晶体管的阈值电压会有所变化，从而影响电路性能。 …

2024年12月26日 · LOD效应，也称作STI应力效应，是指在有源区（如晶体管区域）外围的浅槽隔离（STI）对晶体管产生应力作用，进而影响晶体管的阈值电压。 这种效应通常通过多晶硅栅到有源区边界的距离来表征。 STI隔离带来的应力会因为其位置的不同而对晶体管产生不同程度的影响。 WPE效应指由于阱离子注入过程中的光刻胶溅射现象，导致阱边缘的掺杂浓度非均一性。 这种非均一性表现为与阱边缘的距离不同，晶体管的阈值电压会有所变化，从而影响电路性能。 …

布局相关效应 (LDE) 已成为现代模拟和混合信号电路设计中的一个关键问题。 LDE 的三个主要来源，即井距、氧化物扩散长度和氧化物到氧化物间距，显着影响先进技术节点中器件的阈值电压和迁移率。 在本文中，我们提出了在模拟布局期间考虑 LDE 的三个主要来源的第一项工作。 我们首先将三个 LDE 模型转换为非线性分析放置模型。 然后提出了一种 LDE 感知分析模拟布局算法，以减轻 LDE 的影响，同时提高电路性能。 实验结果表明，我们的布局算法可以有效地减少 LDE …

We successfully developed and verified a complete compact model solution for layout dependent effect (LDE) of FinFET technology. LDE has significant impact on the device performances mainly due to the application of stressors and aggressive device scaling. With LDE, performance degradation may be up to 10% or more.

2024年7月11日 · lde算法是lle和lda两种算法的结合体， 该算法通过求解一个优化问题来学习每个类的子流形的嵌入。嵌入到低维子空间后，同一类的数据点保持其固有的邻域关系，而不同类的相邻点不再相互粘附。

In this paper, we analyze the impact of Layout Dependent Effect (LDE) observed on MOSFETs. It is shown that changing the Layout have an impact on MOSFET device parameters and reliability. Here, we studied the Well Proximity Effect (WPE), Length of diffusion (LOD) and Oxide Spacing Effect (OSE) impacts on device MOSFET parameters and reliability.

在采用 90 nm 以下先进工艺技术的模拟和混合信号电路设计中，布局相关 (LDE) 不可避免地会导致性能下降。 LDE 的主要来源，包括阱邻近效应 (WPE)、扩散长度 (LOD) 和氧化物间间距效应 (OSE)，会导致晶体管的载流子迁移率和阈值电压大幅波动。