多重曝光 - 知乎 - 知乎专栏
自对准双重图形化 (SADP) 是一种替代传统LELE方法的双重图形化工艺。 通过侧墙自对准工艺的双重图形化技术方案：即通过一次光刻和刻蚀工艺形成 轴心 图形，然后在侧壁通过原子层 淀 …
Multiple patterning - Wikipedia
Self-aligned quadruple patterning (SAQP) is already the established process to be used for patterning fins for 7 nm and 5 nm FinFETs. [151] With SAQP, each patterning step gives a …
多重曝光技术 - 知乎 - 知乎专栏
将SADP加倍可以得到四重图案化工艺（SAQP）,使得193nm浸润式光刻可以实现~10nm的分辨率。 理论上193nm光刻机是可以实现7nm节点工艺制程的，但是会使得需要的光罩数量非常 …
什么是SAQP技术？
按照彭博说的说法，SAQP技术能够让企业在没有EUV光刻机的情况下，生产更先进的芯片。 那么，什么是SAQP？这是self-aligned quadruple patterning的简称，也就是自对准四重图案化。 …
We’ll describe how the SADP/SAQP processes work, and explain some options for the block (sometimes referred to as cut) mask needed for these processes. We’ll then introduce another …
7nm 制程工艺如何实现？ - 知乎 - 知乎专栏
然后是SAQP (self-aligned quadruple patterning) 技术，来实现7nm 制程工艺中线宽最小的Fin 结构。SAQP 与 SADP 非常类似，相当于在使用完一次 SADP 技术以后，再使用一次SADP， …
5 NM FIN SAQP Process Development and Key Process ... - IEEE …
2020年6月26日 · In this study, we will briefly introduce 5 nm logic key layer process approach with EUV photolithography technology and, as an example, present in detail the 5 nm Fin …
大型科普：多曝工艺究竟是如何超过光刻机的极限分辨率？ - 与非网
2024年8月31日 · SADP是一种取代传统LELE的双重图形化工艺，通过侧墙自对准工艺的双重图形化方案，即通过一次光刻和刻蚀工艺形成轴心图形，然后在侧壁通过原子层淀积和刻蚀工艺形 …
光刻——双重与多重图形技术 - 艾邦半导体网
双重图形技术（Double Patterning, DP）是半导体制造中用于实现关键尺寸（Critical Dimension, CD）小于45nm芯片的关键技术。 与非线性双重曝光技术不同，双重图形技术不存在材料与 …
什么是SAQP技术？ - 腾讯网
2024年3月25日 · LELE（即双重图案化：double patterning）对设计人员提出了新的布局、物理验证和调试要求。 例如，在设计方面，根据间距要求为掩模层分配颜色。 遮罩层从原始绘制的 …