这个效应在数字IC研究居多，模拟IC主要研究LOD效应。 LOD效应和WPE效应一样，直接影响 MOS管 的 阈值电压 等参数，因此如果电路对阈值电压比较敏感，那么在layout中一定要把LOD效应考虑在内，不然layout画完再做优化就很费事，导致芯片设计周期变长。

LOD的概念. LOD是 Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0.5um和2um，但由于扩散区分别为1um和1.5um，所以其电流大 …

2019年6月17日 · LOD是 Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。 如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0.5um和2um，但由于扩散区分别为1um和1.5um，所以其电流大小并不同。 从0.25um以下的制程， 组件 之间是利用较先进的STI (Shallow Trench Isolation)的方法来做隔绝。 STI的作法，会在substrate上挖出一个沟槽，再填入二氧化硅当绝缘层。

2024年12月24日 · STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是LOD效应。 为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。 浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直的凹槽。 该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余部分。 在substrate挖出浅槽时会产生压力的问题。 由于扩散区到MOS管的距离不同，压力对MOS管的影响也不同。 所以对于相同长宽两 …

WPE（Well Proximity Effect）就是阱临近效应，是指在阱doping的过程中，阱边缘由于散射doping浓度比其他地方要高一些，这样临近阱边缘的器件特性就与远离阱边缘的器件特性不一致，主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。 WPE

2024年5月7日 · 两者不同的点在于，lod效应指单个器件本身有源区长度不同导致的影响；而ose效应指不同器件有源区之间由于sti存在导致器件电气参数的改变。 OSE效应形成的原因这里就不重复描述了，请参考 LOD效应产生的根本原因 。

2024年11月8日 · 在有限空间内增加虚拟器件（Dummy device），使关键器件远离阱边缘，减小WPE效应，并增大MOS管源、漏端面积，降低STI效应。 对于对称性要求高的电路，采用单元模块调用设计方法。

2020年2月18日 · Length of Diffusion (LOD)效应，也就是扩散区长度效应，顾名思义就是扩散区长度引起的效应。 在器件的扩散区长度不同时，STI的场氧的应力对MOS管的性能将产生影响。 具体内容见上方描述。 LOD效应对器件性能的影响： LOD Effect效应对器件性能影响的大小与OD的长度（SA，SB，源漏OD的长度可能不同）有关。 如下图所示为PMOS和NMOS的电流与OD长度的关系： 横坐标为OD的长度SA (SB)，纵坐标是电流的大小。 从图中可以得到如下结论： · …

LOD ( Length Of Diffusion) Effect， 也称为 STI stress effect，顾名思义，就是在有源区外的 STI 隔离会对其带来应力作用（如下图中所示），从而影响晶体管的迁移率和阈值电压，因而导致不同的有源区的长度（SA+L+SB）的 MOSFET 的电学特性存在差异。

2020年1月19日 · LOD是 Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。 如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0.5um和2um，但由于扩散区分别为1um和1.5um，所以其电流大 …