Low temperature AlN growth by MBE and its application in HEMTs
2015年9月1日 · Partially amorphous AlN MBE grown low temperature (LT-) AlN as an in-situ surface passivation technique for III-nitride based high electron mobility transistors (HEMTs). …
Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: Enabling role of
2022年9月9日 · We report successful homoepitaxial growth of N-polar AlN by molecular beam epitaxy (MBE) on large-area, cost-effective N-polar AlN templates. Direct growth without any in …
Step-flow growth of Al droplet free AlN epilayers grown by …
2022年6月29日 · We have investigated an Al modulation epitaxy (AME) method to obtain step-flow growth of Al droplet free AlN layers by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE). At …
MBE growth and donor doping of coherent ultrawide bandgap …
2021年3月1日 · Single-crystal Aluminum Nitride (AlN) crystals enable the epitaxial growth of ultrawide bandgap Al(Ga)N alloys with drastically lower extended defect densities. Here, we …
AlN薄膜常见沉积方法介绍 - 知乎 - 知乎专栏
mbe是通过分子束的直接冷凝来沉积超薄、高质量的aln薄膜。 为了生长AlN，通常的MBE机台会有两个效应器，一个效应器会装有纯铝，而另一个效应器则会提供氮源，当效应器被加热到足够 …
使用氨辅助 MBE 在 c-蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的特性
已经研究了通过氨辅助分子束外延在具有不同低温 AlN 缓冲层 (LT-BL) 的 c 蓝宝石衬底上生长的 AlN 外延层特性（120 nm 厚）。LT-BL 对 AlN 结构和光学特性的作用作为 LT-BL 厚度和生长 …
Plasma-assisted MBE growth of AlN/GaN/AlN heterostructures on Si …
2013年8月1日 · Good crystalline quality of AlN/GaN/AlN heterostructures on Si (1 1 1) substrate has been successfully grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The …
MBE-grown AlN-on-Si with improved crystalline quality by using …
2014年5月29日 · This paper reports on AlN epilayers with improved crystalline quality grown on silicon-on-insulators (SOIs) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The …
金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜 | 人工晶体学报 -- 中国光学期 …
2023年6月11日 · In this paper, conventional continuous epitaxial growth and metal modulated epitaxial (MME) growth of AlN were investigated with the plasma-assisted molecular beam …
氨-MBE 和等离子辅助 MBE 生长 III-N 的特点和优势,Journal of …
在初始阶段使用氨 MBE 生长高温 AlN/AlGaN 缓冲层可以提高结构质量并将 GaN 层中的位错密度降低到 9×108-1×109 cm-2。 然而，为了产生有效的 p 掺杂，以及生长含 In 层（InGaN，In …