mbe是将各种所需组分的炉子加热后生成蒸气，然后利用小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，而pld采用激光直接轰击靶材。

mbe 脉冲激光沉积技术（Pulse Laser Deposition，简称PLD）可以生长具有透明导电、铁电、超导、光电水解、电催化等功能的复杂氧化物薄膜材料。 通过对掺杂、氧缺陷、晶面取向、晶格应力、表面修饰的精确控制，从电子结构出发阐明原子、分子结构与其光、电、磁 ...

Pulsed laser deposition (PLD) is a physical vapor deposition (PVD) technique where a high-power pulsed laser beam is focused inside a vacuum chamber to strike a target of the material that is to be deposited.

2024年11月4日 · mbe在超高真空环境下运行，利用分子束或原子束逐层堆积材料，形成单晶薄膜。 MBE的优势在于其极高的成膜精度，能够实现亚原子级别的厚度控制。 2.

Molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD) are generally viewed as techniques capable of producing high-quality epitaxial films. Although both processes typically

pld技术具有巨大的优点，研究者不断探究pld能够沉积薄膜材料的种类。 现在，PLD几乎可以制备现有的各种薄膜材料。 目前，该技术在薄膜材料的研究主要集中在以下的几个方面：

2017年2月27日 · The key difference between ALL-Laser MBE and conventional PLD or laser MBE is the use of separate oxide targets—instead of using a compound target of SrTiO 3, targets of SrO and TiO 2 are ...

We have designed and built a customized PLD system with crossed laser beam configuration in order to efficiently eliminate the particulates. This technique was first realized by Gaponov and co-workers in 1981. In our system, the laser beam is equally divided into two beams using a 50-50 beam splitter. The laser beams ablate two targets ...

2024年11月21日 · PLD（脉冲激光束沉积）与MBE（分子束外延）作为两种物理沉积方法，均在高真空环境中进行，主要用于生长氧化物类材料。 它们在原理、设备、参数与技术上各有特色，具体区别如下： 一、生长原理与参数：PLD利用高能激光轰击固体陶瓷靶材，产生等离子体羽辉，通过扩散沉积成膜；MBE则是蒸发源在高温下形成分子束，与等离子氧/氮源共同作用于衬底上沉积成膜。 生长参数包括衬底温度、激光能量、背景气压、激光频率等。 在MBE中，还需要考虑衬 …

2023年9月21日 · 激光分子束外延系统 laser mbe是新型激光薄膜制备技术设备,它集成了普通分子束外延（mbe）的超高真空、原位监测的*点和脉冲激光沉积（pld）的易于控制化学组分的*点。 激光分子束外延系统特点 增长的激光mbe解决方案：从pld室和负载锁开始，稍后添加*多模块！