2021年11月19日 · We probe the electronic structure of monolayer 1T-NbSe 2 using scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS). By combining our spectroscopic data with Hubbard-corrected density functional theory (DFT) calculations, we show that the gap is …

2024年2月3日 · The stripe phase in monolayer NbSe 2 is caused by Se-deficient line defects generated during molecular beam epitaxy (MBE) growth, which leads to a charge density wave (CDW) phase transition ...

2022年7月16日 · In this paper, we investigate a single layer of 2H-MoTe2 grown on graphene by MBE and we present scanning tunneling microscopy (STM) investigations combined with density functional theory (DFT...

该仪器是一个综合的表面单元子层生长-表面分析系统。 它包含了一个分子束外延系统，可以用于以单元子层的精度生长多种低维量子材料。 同时它还包含多种先进表面分析手段，包括高分辨低能电子能量损失谱（HREELS）、变温扫描隧道显微镜（VT-STM）、低能电子衍射（LEED）、X射线光电子能谱（XPS）等，可以对表面的原子结构、电子结构、各种激发态的信息进行系统的研究。 该仪器是定制的商业化系统，由德国Omicron公司生产，2002年建成。

设备简介： Combi Laser MBE-STM系统由本团队与技术部郇庆团队联合研发，反复设计优化，并完成全面的性能测试。 本系统作为目前国际上最先进的第四代高通量实验设备，具有多项独特优点：1）旋转掩膜的设计解决了累积误差问题；2）在定位精度优于1μm的基础上可进行10mm*10mm的大范围扫描表征；3）实现了样品、针尖、靶材的高效原位传递。 本团队已使用该系统制备了高质量梯度厚度FeSe薄膜，获得了超导转变温度与厚度的依赖关系；采集了原位 …

扫描隧道显微镜 STM 是一种利用量子理论中的 隧道效应 探测物质表面结构的仪器, STM 技术的最大优势在于可获得原子级的分辨率. 分子束外延 MBE 与 扫描隧道显微镜 STM 联用: 可以成功分析 MBE 生长晶体表面结构, 这种联用现已广泛应用于各大院校和研究院应用表面物理实验中. 分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 系统都需要在超高真空环境中进行, 对真空度要求及其高, 需要 分子泵 低振动, 低噪音, 清洁无油确保超高真空的稳定性已保证晶格的生长和后期的探测分析. …

2022年1月15日 · As a state-of-the-art growth method, molecular beam epitaxy (MBE) is a gifted technique for epitaxial growth with atomic-level control. In this paper, by giving several examples, we will show that an STM–MBE combined system is more powerful and unique for studies on low-dimensional and new functional materials.

2025年3月20日 · The samples prepared in a separate MBE chamber were transferred to the STM chamber using a custom-built ultrahigh-vacuum suitcase evacuated by a battery-operated ion pump.

MBE-STM联合系统，不仅具备的样品生长功能，而且可在不破坏超高真空环境的条件下，使用STM探测手段对MBE生长的样品进行原位成像，避免样品污染，从而能获得样品本征的信息，成像精度可达到原子水平。

2021年6月4日 · 性能参数： 4.0吋晶圆样品 超高本底真空（10-9Torr） 锲形膜、不同厚度膜高通量单原子层外延生长 8个金属、非金属靶 目前状态： 正常使用 性能参数： 原子操纵-搭建人工纳米结构 单原子层精度金属，氧化物薄膜制备 原位形貌，电子结构测量 T=5K, B=2T 目前状态：正常使用