2023年3月21日 · TSV (Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。 它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。 （a） TSV封装(a)与叠层封装(b)对比图(图片来源：芯语) 2.TSV技术的优势. 高密度集成：通过先进封装，可以大幅度地提高电子元器件集成度，减小封装的几何尺寸和封装重量。 克服现有的2D …

We introduced original TSV technology for MEMS sensor products called SMERALDO, MEMS die size is reduced over 20% in average with keeping same mechanical structure. This can make realize smaller packaging, or higher performance, or multi functions sensor like smart sensor module which integrated multiple motion sensor and microprocessor.

TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为： 硅通孔技术。 它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。 TSV也是继线键合（Wire Bonding）、 TAB 和 倒装芯片 （FC）之后的第四代封装技术。 TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低 电容 / 电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。 TSV 实质上并 …

近些年新开发出来的 硅通孔互联 (TSV) 技术 为芯片之间的垂直互联提供了有效的途径. 通过 TSV (Through Silicon Vias) 技术可以实现 CMOS, MEMS 以及光电子电路等多种系统的三维混合集成. 下面主要介绍基于基于 TSV 的相关异质集成技术. 2. TSV (硅通孔)3D集成技术. Q2： TSV的技术是基于CMOS电路晶圆与MEMS晶圆对准的前提进行刻蚀通孔的操作？ 这里就涉及到了如何对准的普遍问题？ TSV 技术把芯片堆叠加起来, 使用 硅通孔在垂直方向为各个芯片提供电路连接. 与引 …

2021年8月11日 · Among the four top-down MEMS fabrication approaches, 3D surface micromachining and through-substrate-via (TSV) fabrication technology have been intensively studied to fabricate 3D inductors...

2016年5月31日 · In this paper, we present a Through-Silicon-Via (TSV)-based 3D tunable inductor for multiple band filter applications. MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems)-based switches are implemented to vary inductance by activating and deactivating the switches. MEMS-based switches are fabricated and modeled to implement the tunable inductor.

In this paper, we present a modified MEMS-casting TSV filling method that uses a nozzle piece, on which surface KOH etched trenches are employed as nozzles. By this improved method, a universal nozzle can be used for TSV arrays with different diameters. TSV arrays with diameters from 20μm to 300μm have been demonstrated.

TSVs are high performance interconnect techniques that are key enabling technologies for 3D integration of MEMS. C ompared to 3D techniques such as flip chips, wire bonds, or package-on-package, the density of through-silicon vias is substantially higher, and the length of the connections is shorter. Teledyne DALSA is pleased to offer both ...

本文针对基于tsv互连的mems电容式传感器集成进行研究，重点分析基于tsv技术实现mems传感器与接口电路集成后，传感器的性能变化特性，主要研究内容包括： 首先，针对mems传感器集成用硅通孔特点，提取了硅通孔寄生电容，并分析了影响硅通孔寄生电容的因素。

Actual Sil-Via® TSV 3D interposer manufactured for a customer, with edge-to-edge via density, High density TSV (200 µm pitch) and Zero-Crosstalk TM features for digital / analogue GND separation