栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。 总栅极电荷包括Qgs 和Qgd。 Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。 单位为库伦（C），总栅极电荷量越大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。 数值越小，开关损耗就越小，从而实现高速开关。 换言之，栅极电荷也可以表示为器件转换为导通状态时电流进入选通端接的时间积分，此时开关损耗等于栅极电荷、栅电压和频率的乘积。 通 …

电容（Ciss／Crss／Coss）：在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。 因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如下图所示。

本文将详细探讨功率MOSFET中的三个关键电容参数——输入电容 (Ciss)、输出电容 (Coss)以及反向传输电容 (Crss)，并介绍不同结构对这些参数的影响及优化…

2025年2月28日 · 在 MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管）的规格书中，通常会提到三个与电容相关的参数： 输入电容（Ciss） 、 输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）。 这些电容参数是MOSFET在开关应用中非常关键的特性，直接影响其动态性能、开关速度和效率。

2022年11月24日 · Ciss会增加驱动功率，高频应用时，栅极驱动信号需要对Ciss充电和放电，因而会影响开关速度，降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流，提高对Ciss的充放电速度，有利于提高开关速度。 栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率，但是下作频率比较高的时候，结电容的存在会消耗可观的驱动功率，频率越高，消耗的功率越大。 Ciss会导致在高频应用时不能被真正关断，白白消耗功率，降低PD值；在实践中，为了分析问题的方便，一般 …

MOSFET的三个主要电容参数是输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss），这些参数决定了器件在开关过程中的速度和效率。 由于 MOSFET的结构，会产生寄生电容（CGS、CGD、CDS）。 这些寄生电容会影响开关特性。 在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。 因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如图所示。 电容会影响MOSFET的开关性能。 输入电容Ciss = Cgs + Cgd输出电容Coss = Cds + …

摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss (tr)和能量相关输出电容 Coss (er)的具体定义以及测量的方法，特别说明了在实际的不同应用中，采用不同的输出电容的原因。

Coss 表示输出电容，Coss=Cds+Cgd； Crss 表示反向传输电容，Crss=Cgd (米勒电容)。 这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。

2020年4月14日 · Ciss、Coss、Crss的大小与源-漏极电压VDSS有关，因此有些公开的资料也将它们称为动态数 (Dynamic Characteristics)，不过它们几乎不受温度的影响，这给我们的电路分析带来了方便。 即使是 VMOS 单管也都是由不计其数的管芯单元组成的，每个管芯单元都可以视为一个微型的VMOS单管，对于一个管芯单元来说，结电容都是非常小的值，但是对于数以万计的管芯单元来说，这些结电容大致为并联关系，容量就相当可观了。 因此，管芯单元的结电容越 …

Capacitance (Ciss/Crss/Coss): In a MOSFET, the gate is insulated by a thin silicon oxide. Therefore, a power MOSFET has capacitances between the gate-drain, gate-source and drain-source terminals as shown in the figure below.